全文获取类型
收费全文 | 10461篇 |
免费 | 3261篇 |
国内免费 | 1865篇 |
专业分类
化学 | 4239篇 |
晶体学 | 1993篇 |
力学 | 549篇 |
综合类 | 166篇 |
数学 | 120篇 |
物理学 | 8520篇 |
出版年
2024年 | 75篇 |
2023年 | 300篇 |
2022年 | 434篇 |
2021年 | 428篇 |
2020年 | 329篇 |
2019年 | 335篇 |
2018年 | 191篇 |
2017年 | 357篇 |
2016年 | 414篇 |
2015年 | 499篇 |
2014年 | 950篇 |
2013年 | 651篇 |
2012年 | 738篇 |
2011年 | 703篇 |
2010年 | 705篇 |
2009年 | 797篇 |
2008年 | 836篇 |
2007年 | 700篇 |
2006年 | 705篇 |
2005年 | 613篇 |
2004年 | 628篇 |
2003年 | 533篇 |
2002年 | 501篇 |
2001年 | 354篇 |
2000年 | 287篇 |
1999年 | 297篇 |
1998年 | 254篇 |
1997年 | 382篇 |
1996年 | 231篇 |
1995年 | 237篇 |
1994年 | 191篇 |
1993年 | 191篇 |
1992年 | 190篇 |
1991年 | 159篇 |
1990年 | 189篇 |
1989年 | 133篇 |
1988年 | 27篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
941.
942.
943.
基于酪胺信号放大的新型免疫传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
将酪胺应用于酶联免疫分析,建立了一种新的高灵敏伏安型免疫传感器。利用纳米金的静电吸咐和己二硫醇、巯基乙胺的自组装,将羊抗人IgG抗体固定到金电极表面上,以辣根过氧化物酶标记羊抗人IgG抗体为酶标抗体,以生物素化酪胺为酶底物,利用催化酪胺沉积反应,在传感界面沉积大量生物素,使原始信号得到几何级数的放大。结果表明,通过生物素化酪胺催化放大后,制得的免疫传感器对H2O2的催化能力增大近20倍,检测hIgG在1.5μg/L~22 mg/L范围内有良好的线性关系,检出限为0.1μg/L。用于实际试样的回收率的测定,结果良好。 相似文献
944.
将电化学氧化生成的Pd(Ⅳ)离子配合到直立碳纳米管(ACNTs)上, 使其还原为纳米颗粒(Pb nps), 从而制得Pd nps-ACNTs纳米复合物电极, 经过葡萄糖氧化酶(GOD)进一步修饰后, 制成GOD/Pds nps/ACNTs酶电极, 通过测量GOD和葡萄糖酶促反应中产生的H2O2含量, 进而监测葡萄糖浓度. 实验结果表明, 电极表面大量Pd纳米颗粒的存在显著提高了传感器的检测灵敏度, 使酶电极具有响应时间短(<5 s)及检测电位低(<0.4 V)等优点. 相似文献
945.
用乳过氧化物酶(LPO)和伴刀豆球蛋白A(Con A)共修饰金电极,首次得到了乳过氧化物酶的直接电化学响应,在此基础上研究了乳过氧化物酶对过氧化氢(H2O2)的电催化活性,并研究了一氧化氮(NO)对LPO电催化活性的影响.在Con A的作用下,乳过氧化物酶在循环伏安图中显示1对准可逆的氧化还原峰,表现出薄层电化学行为.在pH 7.4的磷酸缓冲溶液中的表观氧化还原电位为 -190 mV.该共修饰电极对H2O2表现出电催化还原活性,由此构建的传感器对H2O2的检测范围是2.0×10-5 ~4.0×10-3 mol/L.实验发现,微摩尔量级的NO会抑制乳过氧化物酶对H2O2的催化活性. 相似文献
946.
利用新型材料金纳米空球, 通过层层修饰的技术, 分别将壳聚糖、空壳纳米金、L-半胱氨酸、细胞色素c以及ssDNA探针修饰到玻碳电极表面, 制备了一种新型的DNA生物传感器. 以紫外及透射电子显微镜(TEM)表征了空壳纳米金, 以循环伏安法、阻抗谱图等电化学方法研究了传感器的特性, 通过原子力显微镜方法观察了该DNA生物传感器不同层之间的形态差异. 结果表明, 该修饰电极所吸附的ssDNA探针为1.672×10―10 mol•cm-2. 在指示剂柔红霉素的帮助下, DNA探针可与互补的DNA进行杂交, 借此以微分脉冲伏安法测定DNA. 相似文献
947.
948.
949.
报道了ZnErLiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺. 通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30~35 ℃·cm-1)、晶体的生长速度(0.8~1.5 mm·h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶. 用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体, 并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱. 从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断, 沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少. 光谱数据表明, 晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大, 而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射, 晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率. 从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制. 相似文献
950.