紫外-可见-短波近红外漫反射光谱技术测定白芷中二氧化硫残留量的研究

建立紫外-可见-短波近红外漫反射光谱结合化学计量学测定白芷中二氧化硫残留量的方法。利用紫外-可见-短波近红外漫反射光谱技术并结合化学计量学建模预测二氧化硫残留量。偏最小二乘回归法(PLSR)建模优于支持向量回归法(SVR); Random Frog波段选择结合Auto-scaling预处理后PLS建模后预测效果最佳,校正集R~2为0. 99,交叉验证集R~2为0. 94,预测集R~2为0. 96。紫外-可见-短波近红外漫反射光谱结合化学计量学可以实现二氧化硫残留量的快速检测,为中药饮片的质量评价及监管提供一种技术手段。     

风生短波谱的实验研究

根据在风水槽上波高仪测得的风生波波高时序,讨论了风生短波频谱与水波频率及摩擦风速的关系,通过实验及与他人实验结果的比较,发现风生短波频谱与摩擦风速有幂函数关系,摩擦风速的幂指数并非为常数,实验显示幂指数应是频率的函数（有近似的对数关系）．     

基于卷积循环神经网络的短波时变信道盲均衡算法

针对短波时变信道码间干扰严重、误符号率高等问题,采用卷积循环神经网络(convolutional recurrent neural network,CRNN),即将卷积神经网络(convolutional neural network,CNN)和循环神经网络(recurrent neural network,RNN)相...     

可见-短波红外成像系统色彩恢复滤光片研制

针对当前0.40～2.50 μm宽光谱响应成像系统可见光波段颜色信息丢失,全波段只能灰度成像的问题,设计并制备了用于全天时、可见光色彩恢复、短波红外(Short-Wave Infrared,SWIR)多波段成像的滤光片。使用Essential Macleod膜系设计软件,通过三种设计方案进行参数和性能对比,最终采用短波通基础膜系的两级截止带构造蓝光(B)+SWIR、绿光(G)+SWIR、红光(R)+SWIR负滤光片膜系设计,采用长波通基础膜系实现0.42～2.50 μm通带膜系设计。以上四个滤光片的组合选用Ta₂O₅和SiO₂为高低折射率材料在石英玻璃JGS-1基底上制备,经过测量通带的平均透过率均大于93.6%,通带平均透过率之差小于1.6%。最后用制备的滤光片进行拍照和计算,对色彩恢复功能进行验证。测试结果对宽光谱彩色成像技术的进一步研究具有参考价值。     

短波长三维光子晶体

本文提出了一种新型三维光子晶体—组合式三维光子晶体,它是由数块一维光子晶体组合而成的封闭式结构.从理论上论证了它的可行性.指出在短波长工作区域,这种新型光子晶体的制造工艺简单易行.文中给出并讨论了三个例子.     

卷云短波反射特性的模拟计算研究

利用通用大气辐射传输(CART)软件模拟计算了0.4～2.5μm波段卷云大气反射率,分析了卷云大气的反射率随波长、光学厚度、有效尺度、卷云高度和地表类型变化情况,并模拟计算了0.55,1.38,2.75μm波段卷云大气反射率间关系。结果表明,可见光到近红外波段,卷云大气反射率随卷云光学厚度的增大而增大。可见光波段,卷云大气反射率随卷云粒子有效尺度变化很小;近红外波段,卷云大气的反射率随卷云粒子有效尺度增大而减小;近红外大气强吸收波段,卷云大气的反射率随卷云高度的增大而增大。大气窗口区卷云大气的反射率随地表类型的变化有显著的变化。通过0.55μm和2.75μm波段,1.38μm和2.75μm波段的卷云大气反射率间关系可以反演卷云光学厚度和有效尺度。     

硅薄膜的短波红外光学特性和1.30μm带通滤光片

在短波红外区域(1～3μm),硅薄膜材料因其具有折射率高、透明性好、膜层应力易匹配等诸多优点而得到广泛应用。基于改进后的Sellmeier模型拟合出了制备的硅薄膜的短波红外光学特性,以此为基础,选用硅和二氧化硅两种材料,设计并制备出中心波长在1.30μm,相对带宽2.46%的带通滤光片。利用了硅薄膜在波长小于1.0μm波段的吸收特性较好地扩展了带外截止范围。测量结果表明,具有2个谐振腔的带通滤光片峰值透射率达到85.8%,半功率带宽控制在约32nm,带外截止范围覆盖了波长小于1.75μm的光谱区域。     

共振长短波方程的孤波解

本文研究了共振长短波方程的孤波解.利用扩展映射法和符号计算,得到许多新的孤波解.这些孤波解能很好地模拟水波,辅助方程用更一般方程代替的扩展映射法能更有效找到这些孤波解.

Abstract：

In this article,soliton solutions of the long-short wave resonance equations are investigated.By the extended mapping method and symbolic computation,many new exact soliton solutions are obtained.These soliton solutions are fascinating in modeling water waves.The extended mapping method,with the auxiliary ordinary equations replaced by more general ones,is more effective to find these soliton solutions.     

Defect Accumulation and Its Effect on Photoluminescence in GaN Bombarded with Low-energy Heavy Ions

Gallium Nitride (GaN) is an important material for the development of novel short-wave-length photonicdevices or high-frequency, high-power electronic devices. Ion implantation/irradiation was proved to be an effective method to modify the physical properties of the material. In the present work, we studied the dependence of damage accumulation on irradiation dose and temperature and the corresponding effects on photolumines cence character of the material. Specimens of GaN (n-type doping, (0001) on axis) were irradiated with ^56Fe