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71.
本文利用时间切片离子速度成像技术在134∽140 nm波段研究了OCS分子经由F 31Π里德堡态的真空紫外光解离动力学. 在选取的5个分别对应OCS(F 31Π, v1=0∽4)的伸缩振动激发的光解波长,实验测得了来自CO(X1Σ+)+S(1D2)产物通道的SS(1D2))实验影像,并获得了总平动能谱和CO(X1Σ+, v)共生产物的振动布居及角分布. 结果分析表明OCS分子解离生成CO(X1Σ+)+S(1D2)产物的过程经历了上态F 31Π 与C?v和Cs构型的下电子态间非绝热耦合过程. 实验结果显示了很强的波长相关性:OCS (F 31Π, v1)的较低转动激发态(v1=0∽2)和较高转动激发态(v1=3, 4)的CO(X1Σ+)产物的振动布居和角分布具有显著差异,表明该解离过程中具有不同的解离机理. 本结果提供了振动耦合可能对真空紫外光解离动力学产生关键作用的相关证据. 相似文献
72.
本工作在正则量子化的基础上,对$\phi^4$ 模型的哈密顿量采取正规序来正规化真空零点能,然后微扰计算了至次领头阶的真空态修正。同时首次得到可以在$\phi^4$ 模型的两个真空态之间转换的算符,我们相信这个算符也是适当极限条件下产生$\phi^4$ 扭结(kink)的算符的形式。最后简要说明了真空能的应用。 相似文献
73.
74.
通过大气等离子喷涂工艺制备了氧化钇稳定氧化锆(YSZ)涂层,采用真空浸渍技术和水热合成的方法,将含有反应物离子或分子的前驱体溶液引入YSZ涂层内部固有的微裂纹和孔洞等缺陷中,并在缺陷中原位合成了直径约78~111 nm的Ag/Ag2MoO4类球形纳米颗粒,首次制备出了YSZ-Ag/Ag2MoO4复合涂层. 摩擦试验结果表明:与YSZ涂层相比,YSZ-Ag/Ag2MoO4复合涂层由于在室温和600 ℃下形成了润滑层,抑制了YSZ涂层摩擦表面的脆性断裂和磨粒磨损,从而显著降低了涂层的摩擦系数和磨损率,有效提高了涂层的摩擦学性能. 相似文献
75.
76.
通过在加工现场和安装现场搭建的真空辅助系统、四极质谱计及氦检漏仪组成的检漏系统,运用残余气体分析和氦质谱检漏方法在冷态下对HL-2M真空室扇形段及真空室整体进行了真空检漏试验.对漏点进行修复后,测试了真空室的极限真空度和总漏气率等.真空室经过72h的抽气后,真空度达到3.7×10?5Pa,超过了1.0×10?4Pa的预... 相似文献
77.
78.
79.
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
80.
设计利用X射线光电子能谱仪的高真空系统作为无氧条件下光催化反应和分析的场所,研究真空无氧环境和大气有氧环境中紫外光激发TiO2薄膜表面的光催化反应,并对无氧条件下TiO2薄膜降解亚甲基蓝进行初步探索.结果表明,在大气有氧和真空无氧条件下TiO2薄膜经紫外光照后,表面的化学组成和化学状态均发生了变化;在有氧环境中TiO2薄膜表面氧含量增加,而在无氧环境中TiO2薄膜表面氧含量减少.TiO2薄膜表面的吸附氧是维持无氧条件下光催化反应的重要原因,增加薄膜表面吸附氧的含量能提高TiO2薄膜在无氧环境中的催化活性.此外,无氧条件下TiO2薄膜降解亚甲基蓝光催化反应过程中,亚甲基蓝分子只是脱去了某个含氮的基团,生成了中间产物,而并没有完全降解. 相似文献