单臂冠醚液晶LB膜的相变研究

研究了两种单臂冠醚液晶及配合物(1, 2及1.Eu^3^+)的LB膜的成膜特性,实验发出它们均可在气-液界面形成单分子膜, 但不易转移, 化合物1在压膜过程中出现一维相变。用CPK模型对成膜分子构型和面积进行估算, 其结果与实验相一致, 并讨论了冠醚液晶结构对LB膜相变的影响。     

响应性凝胶及其在药物控释上的应用

综述近年来在响应性凝胶材料研究方面的进展，介绍了能感应ｐＨ、温度、光、电场以及生化物质等外界因素变化的响应性凝胶的结构特点与响应机理，同时介绍了此类凝胶应用于药物控制释放方面的研究近况。     

苯乙烯－马来酸酐共聚物单分子膜的静、动态性质

对不同分子量的苯乙烯－马来酸酐共聚物（PSM）单分子膜的π－A等温线、微 分曲线进行了研究，讨论了PSM单分子膜成膜过程及分子量对膜相变的影响，并用 动态膜障振动法测定了PSM单分子膜的动态弹性，结果表明，分子链的相互作用（ 如卷曲和缠结）在膜的形成中起着重要的作用，并影响膜的静、动态性质，单分子 膜的动态弹性曲线有双峰，且前者比后者小，随分子量增大，膜的凝聚性、刚性和 稳定性都增强，动态弹性都增大；且分子链的相互作用对PSM单分子性质影响增大 ，压缩过程中单分子膜的相变更明显。     

液晶HpBAB的相变和熔化熵的同系规律性的热力学研究

在260～380 K范围内, 用DSC法研究液晶HpBAB的相变。实验查明HpBAB在室温还以玻璃性晶体状态存在。它的玻璃转变、熔化和清亮过程的热力学参数准确地被测到。提出对-正烷氧基亚苄基-对-氨基苯腈同系列中熔化熵和烷基碳原子数的线性关系; 改进Aranow统计模型并估算直线斜率为Rln(3/g)(1相似文献   

2,2-二羟甲基-1,3-丙二醇在275-510 K间的热容和相变

许多多元醇在270-500K间具有相变焓很大的固-固相变,是一类潜在的固-固相变低温储能物质。2,2-二羟甲基-1,3-丙二醇是一种重要的多元醇,除在化工方面有广泛的应用外,在低温储能方面也有相当乐观的开发前景。它的有关热性质虽已有一些DSC研究报道,但数据精度较差并缺乏系统性。作为系统研究多元醇及其固体溶液热力学性质工作的一部份,本文将报道2,2-二羟甲基-1,3-丙二醇在275—500K间的热容和相变,并根据所测其固-固相变焓数据讨论该物质被破坏的平均氢键键能。     

DNA分子在气液界面的组装相变特性及其LB膜结构研究

对十八胺与DNA在气液界面上组装及其相变过程进行了研究，利用AFM观察了不 同压力下转移的DNA复合LB膜结构。发现在低表面压时，DNA复合单分子膜表现为技 术发散的分形结构；随着压力的升高，DNA复合膜逐渐由紧密的网状排布结构变为 团聚的块状和团簇结构。表明通过调节膜压，可使膜内DNA分子的构象发生大的变 化，从而生成具有特定形态的二维纳米图案。这种具有特殊形态和结构的DNA LB膜 可望为合成新型生物纳米结构有序功能体系提供模板。     

硬脂酸晶体压力效应的FT-IR光谱研究

 本文在0~4 GPa范围内研究了预压力对硬脂酸晶体的相关场劈裂和固态-熔融态相变过程的影响。通过γCH₂面内摇摆振动模和γ'CH₂相关场模的强度和频率变化,发现预压力对晶体内的相关场合分子链取向有明显的影响。预压力对硬脂酸的熔点虽然没有影响,但对γ'CH₂模有“硬化”作用。并且由此出发,对硬脂酸的预熔过程作了讨论。     

磁性高分子链的磁性质和构象性质的Monte Carlo模拟

采用退火 (Annealing)MonteCarlo方法 ,从高温到低温顺序模拟了简立方格点上考虑最近邻Ising相互作用的磁性高分子链在不同温度的磁性质和构象性质 .磁性高分子链在低温下存在自发磁矩 ,无限长链的临界温度Tc=1 77± 0 0 5J kB.在临界温度附近 ,高分子链经历了从伸展的无规线团到紧缩球体的塌缩相变 .对链的尺寸、形状、近邻数及能量的分析表明 ,高分子链的构象性质从温度Tc=1 77开始发生较明显的变化 ,这表明高分子Ising链的相变是Ising相互作用和链节运动协同作用的结果 .     

Cu-13.9Al-4Ni合金的热弹性马氏体相变内耗峰

采用不完全相变内耗测量法研究了Cu-13.9Al-4Ni合金在热弹性马氏体相变时其相变内耗峰与外界变量的依赖关系.当测量频率较低时,完全相变法所测量的单一内耗峰被成功分解成双峰,即高温内耗峰和低温内耗峰.低温内耗峰位置对应于相对动力学模量的最小值,高温内耗峰则对应于相对动力学模量的拐点位置,且呈现出明显的反常振幅效应.     

半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。因此如何得到纯闪锌矿或者纯纤锌矿结构的