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921.
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了内边缘氧饱和的周期性凿洞石墨烯纳米带(G NR)的电子特性. 研究结果表明:对于凿洞锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs),在非磁性态时不仅始终为金属,且金属性明显增强;反铁磁态(AFM)时为半导体的ZGNR,凿洞后可能成为金属;但铁磁态(FM)为金属的ZGNR,凿洞后一般变为半导体或半金属. 而对于凿洞的扶手椅形石墨烯(AGNRs),其带隙会明显增加. 深入分析发现:这是由于氧原子对石墨烯纳米带边的电子特性有重要的影响,以及颈次级纳米带(NSNR)及边缘次级纳米带(ESNR)的不同宽度及边缘形状(锯齿或扶手椅形)能呈现出不同的量子限域效应. 这些研究对于发展纳米电子器件有重要的意义.
关键词:
石墨烯纳米带
纳米洞
内边缘氧饱和
电子特性 相似文献
922.
Pr6O11对SnO2半导体气敏特性的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了添加Pr_6O_11的SnO_2半导体气敏元件的气敏特性。在丙酮、乙醇、甲烷、一氧化碳等11种气氛中测量结果表明,元件对丙酮、乙醇具有选择性,Pr_6O_(11)的最佳含量为1.0wt%左右。实验还发现,元件的限定工作温度随着Pr_6O_(11)含量的增加而下降,响应时间和恢复时间缩短,灵敏度随被测气体浓度变化的线性范围相应增大。 相似文献
923.
利用高真空条件,分舟蒸发制备ZnS:Ho3+和ZnS:HoF3绿色交流电致发光薄膜屏。讨论了ZnS:Ho3+及ZnS:HoF3薄膜的发光特性和光谱差异。确定其激发机理为热电子直接碰撞激发,以及660nm的发射在低浓度下来自于5F3→5I7的跃迁。并认为在两种材料中,由于热电子在外电场中的加速过程中受到不同散射中心的散射,改变了热电子的统计分布,从而直接引起两种材料发射光谱的明显差异。 相似文献
924.
925.
PVDF压电计在低应力下的动态标定 总被引:1,自引:0,他引:1
PVDF是一种新型的高分子压电型传感器材料,应用于冲击载荷时,其压电灵敏系数的动态标定是个关键技术.采用改进的SHPB实验技术对低应力下的PVDF压电计的动态K值的标定进行了研究,并分别对3种不同引线方案的PVDF压电计进行了动态标定,发现动态K值的大小与引线面积之间存在一定的关系. 相似文献
926.
928.
929.
分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致. 相似文献
930.
The photoluminescence of Eu^3 -doped yttrium oxide chloride embedded in nanoporous glass has been observed.In comparison with those in the powder phosphor,the emission lines of Eu^3 ions becom much broader and lueshift was observed in the lines due to ^5D0→^7F2 transitions and the Eu-O charge transfer excitation band.The ratio intensities of the ^5D0→^7F1 transitions to the ^5D0→^7F2 transitions of Eu^3 ion become higher and change at different excitation excitation wavelengths,such as 393nm and 254nm.The two excitation wavelengths belong to the 4f→4f transition of the Eu^3 ion and the Eu-O charge transfer,respectively,This material may be developed into a new luminescent glass. 相似文献