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厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性 总被引:2,自引:1,他引:1
用失调叠加积分的方法,对厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性作了研究,得到了厄米-双曲余弦-高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。 相似文献
92.
93.
关于局部对称空间中2-调和子流形 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究局部对称完备黎曼流形中的紧致2-调和子流形,得到了这类流形第二基本模式长平方的Pinching定理及推广的J.Simons型积分不等式。 相似文献
94.
A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots. 相似文献
95.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
96.
Exact Solution of an Extended Hubbard Model with Electron—Lattice Interaction for an Organic Ferromagnetic Polymer
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Using an exact diagonalization method,we study an extended Hubbard model with an electron-lattice interaction for an organic ferromagnetic chain with radical coupling.The result shows that the ferromagnetic ground state originates from the antiferromagnetic correlation between adjoining sites,which is enhanced by the on-site e-e repulsion.The intersite e-e repulsion induces the inhomogeneous distribution of the charge density.The dimerization is decreased by the e-e interaction and the radical coupling.The electron-lattice interaction and the radical coupling can transfer the spin density and charge density between the main chain and the radicals. 相似文献
97.
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100.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。 相似文献