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91.
采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为,结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论,指认了三聚噻吩能级跃迁性质,即380nm附近的峰为带-带跃迁峰,477,465和600nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁;而在770和990nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰。 相似文献
92.
93.
一种简单的葡萄糖测定方法 总被引:5,自引:0,他引:5
报道了一种新的葡萄糖测定方法。它是基于可逆的光诱导电子转移过程,从而实现葡萄糖的快速测定。荧光染料(3-〔5-(4-二甲氨基苯基)-4,5-二氢唑-2-苯磺酰氨基〕苯硼酸)被首次应用于体液中葡萄糖的直接测定。方法的线性范围为0~1×10-2 mol/L,检测限为5×10-5 mol/L。用建立的方法对3个血清样品中葡萄糖的直接测定,结果满意,相对标准偏差小于4%。 相似文献
94.
推、拉电子基团对水杨醛缩胺分子电子结构和非线性光学性质的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
采用量子化学半经验FF/PM3方法,讨论了水杨醛缩苯胺分子中两苯环的对位被推、拉电子基团取代后,体系电子结构和非线性光学性质的变化,考查了分子电子结构对非线性光学性质影响的微观本质,得到的具有给体-共轭桥键-受体型结构的水杨醛缩苯胺分子应显示良好的非线光学性质。 相似文献
95.
采用高温固相反应法制备了BaY2F8:Ce^3 ,BaY2F8:Eu^2 和BaY2F8:Ce,Eu,测定了它们的激发、发射和漫反射光谱,首冼发现并研究了在BaY2F8共掺CeF3和EuF3体系中存在Ce^3 →Eu^2 的能量传递和Ce^3 →Eu^3 的电子转移两种过程及其竞争。根据光谱数据,讨论了Ce^4 的可能取代格位。 相似文献
96.
光合反应中心原初电子转移机理的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用量子化学密度泛函B3LYP方法在3-21G水平上计算细菌光合反应中心原初电子给体P960和绿色植物PSⅡ光合反应中心原初电子给体P680的电子结构,然后研究轴向配位的组氨酸残基和周围蛋白质环境的影响,最后探讨其原初电子转移机理。计算结果表明:(1)细菌光合作用反应中心原初电子给体P960-h的HOMO主要是由与M分支相连的组成单元上原子的原子轨道组成,而它的LUMO则两个组成单元上原子的原子轨道都有贡献;PSⅡ反应中心中原初电子给体P680的HOMO和LUMO均主要由与D1蛋白相连的组成单元上原子的原子轨道组成。这些计算结果能够从反应中心最核心的部分-原初电子给体的电子结构方面解释Rps.uiridis反应中心和PSⅡ反应中心原初电子转移只沿一个分支进行的的途径选择性。(2)虽然与细菌反应中心原初电子给体超分子P960的两个细菌叶绿素分子形成轴向配位的组氨酸残基His并未参与超分子P960-h的HOMO和LUMO的组成,但是由于其轴向配位,使得P960-h的ELUMO显著地升高到高于辅助细菌叶绿素和去镁细菌叶绿素的相应值,使得原初电子转移反应能够顺利进行。否则原初电子转移反应很难进行。PSⅡ反应中心的情况,与细菌反应中心十分相似。(3)细菌反应中心辅助细菌叶绿素(ABChlb)中的Mg离子与最近的组氨酸残基His中的N原子的距离和原初电子给体P960中的相应的Mg-N的距离相似,因此同样应该考虑此轴向配位的组氨酸残基,此时原初电子转移反应是沿L分支从P960-h经ABChlb到去镁细菌叶绿素(BPheob)的两步电子转移过程。而PSⅡ反应中心的辅助叶绿素不存在His的轴向配位,这应是与细菌反应中心的重要区别之一,此时原初电子转移应是沿Dl分支从P680-h到Pheoa的一步电子转移过程,但同时也不能完全排除从P680-h到AChla到Pheoa的二步电子转移过程。 相似文献
97.
98.
99.
卤素及三卤甲基侧取代大杂环化合物的结构和性能——Ⅱ.氧、氮、硫杂大环化 总被引:1,自引:0,他引:1
用AM1方法计算了20个卤素及三卤甲基侧取代氧、氮、硫杂大环化合物的电子结构。结果表明,这类杂环化合物分子的总能量,最高占据分子轨道能量,杂环中氧、氮、硫原子的电荷分布和空腔大小呈现出一定的规律性。它们对于络合过渡金属具有较强的选择性。 相似文献
100.
表面过剩S2-对CdS光催化的影响与带位匹配 总被引:2,自引:0,他引:2
用ESR方法研究了硫化镉超微粒子表面被不同浓度的过剩硫离子S2-改性后对其光诱导电子转移及底物的氧化还原反应进程的影响.结果表明,在较高浓度下光还原反应易于进行.若所用底物的氧化还原电位E0为负值,在无过剩S2-存在及低浓度S2-环境中不发生光还原反应,但却可在高浓度S2-环境发生反应; 若底物的E0为正值,则在无硫离子及较低硫离子浓度下能够发生的光氧化反应,在高浓度时则被完全抑止.这是由于表面过剩S2-的作用,改变了底物的氧化还原电位与半导体超细微粒带隙间的匹配关系.根据Langmuir 等温吸附模型,进一步导出了修饰物的浓度c与平带电位负移值间的关系表达式ΔEfb=Δ Kc/(1+Kc).可以合理解释修饰物 S2-的浓度越高,Efb负移越大,越有利于光还原反应的实验事实.因此根据需要,适当地选择修饰物并控制浓度,使带隙位置与底物氧化还原电位间能有合适的匹配,有助于调节光化学反应的选择性与方向. 相似文献