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一、引言 1987年《大学物理》发表了测定电子荷质比e/m的各种方法的四篇文章。其中文献是在考虑空间电荷分布效应情况下导出r_k→0时电子运动轨迹的近似解,从而导出临界条件下测算电子荷质比的公式:e/m=(8u_a)/(r_a~2B_c~2)。并在注中说明A.W.Hull曾作过类似工作,得到结果与文献[1]完全一致,但推导方法有所不同。本文提出一种完整的推导方法,对历史上已有过的推导方法作了改进使之更符合实际。其主要改进之点为: (1)本文简化设想阴极具有电荷线密 相似文献
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本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量,计算结果表明,利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大,对GaAs,误差约为31.1%, 对ZnO,误差约为14.8%。 相似文献
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