制备铋靶的脉冲电镀工艺

 采用脉冲电镀工艺,以直径为1 mm的铜丝为芯轴,在无氰镀液体系中,制备出惯性约束聚变实验用铋靶所需的金属铋镀层。通过正交试验得到的最佳脉冲工艺条件为：电流密度5 A/cm²,频率600 Hz,占空比1∶6,温度20 ℃。利用扫描探针显微镜和扫描电子显微镜分别对铋镀层表面形貌进行分析,同时利用X射线衍射对铋镀层物相成分进行分析。表征结果表明：所得铋镀层表面细致均匀,孔隙率低,平整性好,无裂纹。     

水溶液中纳米Al2O3含量的分光光度法测定及其影响因素研究

采用紫外一可见分光光度法测定不同pH的水溶液中纳米Al2O3的含量及有关影响因素。结果表明,纳米水溶液体系存在空白液吸光度很低,工作液吸光度较高的较大的波长区间,是分光光度法中理想的测定体系;对应的标准曲线线性的相关系数均大于0．98实验还研究了分散方式及分散时间的影响,超声20min可达到较好的分散效果;溶液pH对分散效果影响显著,纳米Al2O3浆料在pH为4～8及10～12两个区间分散性较好;其平均相对误差(2．33％)远远小于重量分析法(20．7％),且比重量分析法(2d)省时(小于1h)。     

铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移。由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减。且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显。而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。     

烧结Nd-Fe-B磁体表面渗镀Dy2O3对磁体显微组织和磁性能的影响

研究了烧结Nd-Fe-B磁体表面渗镀Dy2O3对磁体组织结构与磁性能的影响. 表面渗镀Dy2O3后, N40的矫顽力由1017 kA · m-1提高到1146 kA · m-1, 38H的矫顽力由1575 kA · m-1提高到1753 kA · m-1, 而通过传统合金化添加同量Dy, N40和38H的矫顽力分别为1061和1634 kA · m-1. 磁体表面渗镀Dy2O3后热稳定性也大大改善. 组织分析表明, 元素Dy从表面扩散并渗入磁体的内部约20 μm厚, Nd2Fe14B晶粒表层附近Dy含量比晶界中高, 说明Dy2O3中的Dy通过扩散与富Nd相及Nd2Fe14B晶粒表面层的部分Nd发生置换反应, 增强了Nd2Fe14B晶粒表面层的磁晶各向异性. 在此基础上, 提出了高矫顽力高热稳定性渗Dy的烧结Nd-Fe-B磁体中Dy分布的理想模型.     

红荧烯晶体薄膜的制备及应用研究进展

红荧烯具有导电性好、吸收系数高等优良的荧光特性和半导体特性,是目前报道的单晶迁移率最高的材料,在有机光电器件中有很好的发展前景,受到科研人员的广泛关注。目前国内外主要采用真空蒸镀方法和溶液加工方法制备红荧烯晶体薄膜,采用各种制备工艺来提高红荧烯薄膜质量。本文在系统介绍红荧烯晶体薄膜制备工艺研究进展的基础上,归纳总结了掺杂种类/聚合物浓度、后处理工艺/实验温度等对红荧烯晶体性能的影响,简要概述了红荧烯薄膜在有机光电子器件应用研究中所取得的研究成果,最后展望了基于红荧烯晶体薄膜的光电器件的发展趋势。     

LiF对柔性有机电致发光器件性能的影响

利用真空蒸镀方法,在PET柔性衬底上制备了有机电致发光器件.分析了玻璃和柔性衬底器件的电压、电流和亮度特性,重点讨论LiF层对器件性能的影响、柔性衬底上器件的失效机理,以及器件性能随时间衰减现象.实验结果表明,相同条件下,LiF层的加入能降低器件的开启电压,从7 V降至5.5 V;柔性衬底与界面容易形成缺陷,影响器件的寿命.     

水杨基荧光酮光度法测定钯-钴镀液中钴

在pH 8．7的硼酸-氯化钾-碳酸钠弱碱性缓冲介质中,且在CTMAB的存在下,钴(Ⅱ) 与水杨基荧光酮(SAF)反应生成摩尔比为1:2的配合物,其吸收峰位于605 nm波长处,而试剂空白的吸收峰为510 nm,显色体系的对比度(Δλ)为95 nm,配合物的表观摩尔吸光系数(ε605)为6．06 ×104L·mol-1·cm-1,钴浓度在0-5．5μg／25 mL范围内遵守比耳定律,Zn(Ⅱ)、Fe(Ⅲ)及 Ni(Ⅱ)对钴的测定有严重干扰,但加入氟化钠及硫脲可掩蔽。在测定5μg钴的条件下,共存的铜(Ⅱ)达3．2倍,钯(Ⅱ)达15倍不干扰测定。对钯-钴镀液试样进行6次测定,钴的平均值为 0．103 g·L-1,RSD为1．36％,用标准加入法作回收率试验,结果在101．2％-104．8％之间。     

锕系核靶制备与应用北大核心CSCD

基础核物理、核能开发、超重元素研制等领域对精确、值得信赖的核参数的需求日益增大,锕系核靶作为核数据测量实验的核心部件,其产品种类及关键质量参数的优劣直接制约核数据测量的发展水平。系统介绍了国内外锕系核靶制备及检测方法以及国内外核靶研究团队技术储备及发展方向。     

避雷针与放电刷的工作原理

本文主要论述避雷针与放电刷的工作原理，让读者对避雷针与放电刷有清晰的认识。