全文获取类型
收费全文 | 10267篇 |
免费 | 2006篇 |
国内免费 | 4472篇 |
专业分类
化学 | 9747篇 |
晶体学 | 431篇 |
力学 | 971篇 |
综合类 | 200篇 |
数学 | 375篇 |
物理学 | 5021篇 |
出版年
2024年 | 97篇 |
2023年 | 345篇 |
2022年 | 443篇 |
2021年 | 499篇 |
2020年 | 369篇 |
2019年 | 478篇 |
2018年 | 373篇 |
2017年 | 462篇 |
2016年 | 498篇 |
2015年 | 583篇 |
2014年 | 857篇 |
2013年 | 801篇 |
2012年 | 870篇 |
2011年 | 844篇 |
2010年 | 761篇 |
2009年 | 879篇 |
2008年 | 910篇 |
2007年 | 828篇 |
2006年 | 813篇 |
2005年 | 722篇 |
2004年 | 636篇 |
2003年 | 482篇 |
2002年 | 435篇 |
2001年 | 456篇 |
2000年 | 360篇 |
1999年 | 313篇 |
1998年 | 244篇 |
1997年 | 215篇 |
1996年 | 194篇 |
1995年 | 158篇 |
1994年 | 153篇 |
1993年 | 137篇 |
1992年 | 143篇 |
1991年 | 117篇 |
1990年 | 106篇 |
1989年 | 79篇 |
1988年 | 31篇 |
1987年 | 15篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
利用16O重离子束轰击142Nd和147Sm同位素靶分别生成153Er和157Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图.从中指认出153Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出157Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间. 相似文献
42.
43.
44.
在本文提供的条件下,镉的原子捕集灵敏度较常规法高81倍,再考虑到离子交换法的浓缩倍数至少可达40倍,因此可使镉的测定灵敏度至少提高3240倍,从而成功地测定了水中ppt级的超痕量镉。 相似文献
45.
本文研究了火焰发射光谱法测定钾、钠等碱金属元素的各种测定条件,选择其最佳条件。通过标准样品的测定,试验了该方法的准确度、精密度、直接可测定的浓度范围、检出限以及不同燃烧器对测定的影响。试验结果表明,浓度范围在0.5-46微克/毫升时,回收率为97-102%;同一试样分别称样10次测定结果,其标准偏差为0.0049;浓度范围为0-50微克/毫升时,校准曲线呈直线,而用原子吸收方法,大约至5微克/毫升浓度时校准曲线已开始弯曲,火焰发射光谱法可节省空心阴极灯,从而使测定更简便快速。因此,火焰发射光谱测定碱金属元素比原子吸收光谱法更优越。 相似文献
46.
47.
给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型. 相似文献
48.
49.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献
50.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献