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81.
本文应用谱分析理论研究了剪切湍流场中的压力脉动,包括功率谱、均方值等.通过对压力脉动Possion方程的Fourier变换,首先将压力脉动谱表示成速度脉动谱的形式.利用Navier-Stokes方程的形式解及准正态分布假设,可以进一步将压力脉动功率谱表达式中所包含的速度脉动的三阶相关与四阶相关表示成速度脉动的二阶相关(功率谱).最后,引入高雷诺数流的速度脉动功率谱模型,导出了由湍动e0,耗散ε,雷诺应力-iuj>及时均速度梯度表示的压力脉动均方值的湍流模式,并同现有数据进行了比较. 相似文献
82.
高速列车穿越有竖井隧道流场的特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了高速列车穿越隧道压力波的三维粘性流场数值模拟过程,控制方程为三维粘性、可压缩、等熵和非定常流的Navier-Stokes方程,空间离散采用了中心有限体积法格式,时间采用预处理二阶精度多步后差分格式进行离散,对隧道壁面采用壁面函数处理。在模拟中考虑了竖井的位置、竖井的断面积、竖井的数目等因素对隧道内压力及压力梯度的影响。计算结果表明,竖井的存在改变了压缩波的波前形状,从而使得隧道内的压力变化的最大值降低,因而能够降低隧道内的压力梯度最大值,但它并不能延长压力上升的时间。 相似文献
83.
单井计量是油田开发过程中的一项重要工作,而气液分离效果直接影响到计量结果的准确性.管柱式气液旋流分离器(GLCC)因体积小、效率高、适用范围宽而被广泛应用,但基于GLCC发展多级一体化分离装置一直被受到关注.考虑一级分离入口斜管倾角、一级分离入口形状、气相分离弯管仰角及二级分离管束规格,采用多相流Mixture模型和雷诺应力RSM模型,对基于GLCC的井口多管束分离装置结构形式进行了优化,并定量揭示了不同结构形式下的气液分离效率.结果表明,在经过GLCC一级旋流分离后,进入多管束二级分离单元,能够进一步改善气液分离效果,提高气液分离效率,但两级分离单元的结构特征均对分离性能具有显著影响,优化GLCC一级旋流分离入口斜管的倾角为30°,入口形状为圆形,相应可获得稳定的压力分布、较为均匀的流场迹线和更高的气液分离效率,优化气相分离弯管的仰角为35°、二级分离细管束数量与管径分别为6支和40mm,可使对应分离压降在3kPa,气液分离效率接近70%. 相似文献
84.
热力排气系统(TVS)可在微重力环境下实现低温贮箱压力的有效控制,在低温推进剂在轨贮存技术中具有应用前景。为了深入研究热力排气系统、被动绝热、蒸汽冷却屏等多项技术的耦合运行规律,设计并搭建了以液氮为模拟介质的在轨贮存技术地面多功能原理验证试验系统。本文将通过净蒸发量测试、消除热分层测试及控压实验测试来介绍该系统的热力排气功能的实现情况。分析低温贮箱的自增压过程特性,获得贮箱热分层规律;在单个热力排气控压周期内检验TVS消除热分层和消降压力的效果;对比分析基于压力反馈和基于压力+液体温度反馈这两种控制策略的控压特点,从介质损失率的角度评估两种控制策略的优劣。结果表明,贮箱热分层主要出现在气枕区的轴向上,形成于气枕的等容加热期,而热力排气系统能有效消除热分层并消降贮箱压力;压力反馈策略能够通过节流换热的方式减缓液体温度上升,但是贮存流体损失相对较多;而压力加温度反馈策略可实现短期贮存流体零损失。 相似文献
85.
磁流变抛光在其实际工作过程中,抛光区域几何特征的不同将会对流场创成的关键参数产生很大的影响。针对此问题建立三维模型与实验仿真展开研究。在研究抛光区域几何特征与流场创成关键参数的关系时,先改变抛光区域形状,观察其对流场创成中剪切应力、压力产生的影响;再控制抛光区域的形状相同时,通过改变抛光区域尺寸大小,观察对流场创成中剪切应力、压力产生的影响。结果表明:当抛光区域形状不同时,抛光区域为凹面时剪切应力最大,抛光区域为凸面时剪切应力最小。当抛光区域形状为凸面时,抛光区域两边的剪切应力随着抛光区域曲率大小增大而增大;当抛光区域形状为凹面,抛光区域两边的剪切应力随着抛光区域曲率大小增大而减小。当抛光区域形状不同时,抛光区域为凹面时压力最大,抛光区域为凸面时压力最小。当抛光区域形状为凸面时,抛光区域处的压力随着抛光区域曲率增大而增大;当抛光区域形状为凹面时,抛光区域处的压力随着抛光区域曲率增大而减小。 相似文献
86.
本文应用DTA及X射线衍射法在常压及高压下对一种含SiO2的锂离子导体玻璃0.3Li2O-0.67SiO2-0.03V2O5加热时的晶化行为进行了研究。该氧化物玻璃的晶化过程分两个阶段。在常压下,第一晶化过程发生在560 ℃附近,析出相为Li2O·2SiO2。对应的晶化温度Tx1随压力的升高发生了急剧的变化。从常压到0.3 GPa,Tx1从560 ℃升高到620 ℃;继续升压时Tx1突然下降,并在0.4 GPa处跌到528 ℃,呈现一个陡峭的峰值。0.4 GPa以上,Tx1随压力的变化则呈常规行为,比较平稳地,大致线性地升高,一直到最高测定压力2 GPa。 本文最后对这些行为的可能原因进行了讨论。 相似文献
87.
This paper studies systematically the drain current collapse in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors (MOS-HEMTs) by applying pulsed stress to the device. Low-temperature layer of Al2O3 ultrathin film used as both gate dielectric and surface passivation layer was deposited by atomic layer deposition (ALD). For HEMT, gate turn-on pulses induced large current collapse. However, for MOS-HEMT, no significant current collapse was found in the gate turn-on pulsing mode with different pulse widths, indicating the good passivation effect of ALD Al2O3. A small increase in Id in the drain pulsing mode is due to the relieving of self-heating effect. The comparison of synchronously dynamic pulsed Id - Vds characteristics of HEMT and MOS-HEMT further demonstrated the good passivation effect of ALD Al2O3. 相似文献
88.
89.
90.