用反向调制照明法分析光栅成像效应

提出了用反向调制照法明分析光栅成像效应的观点，研究了光栅系统的反向衍射干涉效应，成功地揭示了泰伯效应与劳效应的内在联系，并在白光双光栅衍射干涉的“消色效应”的基础上获得了白光扩展光源照明下白光光栅成像效应和具有实用意义的四光栅干涉系统。     

随机权函数非线性回归模型的异方差统计分析

在回归分析中，随机误差是否存在方差齐性是理论与实际工作者都十分关心的问题，方差齐性假设并不总是正确的，在线性和非线性回归中关于异方差的诊断问题已有许多讨论（[1],[2],[4],[5]）。本文在韦博成（1995）讨论了加权非线性回归模型的基础上，用随机系数的方法，讨论随机权函数非线性回归模型中的异方差检验问题，得到了方差齐性检验的似然比统计量和score统计量，同时，当模型存在异方差时，本文给出了估计方差的一种方法。     

横向放大率法确定复合光学系统的基点

介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件（CCD）测量物经光学系统成像的横向放大率，提高了测量精度。     

钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展

检测W（Ⅵ）对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W（Ⅵ）的富集手段，检测方法概况作一综述，其中包括，荧光光谱法，分光光度法，原子发射光谱法，质谱法，动力学方法，极普法，化学发光法，中子活化分析及联用技术等。     

Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4

The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La_2-xBa_xCuO₄ at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La_1.48Nd_0.4Sr_0.12CuO₄. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text.     

火焰原子吸收光谱法测定钴-镍合金镀层中的钴和镍

利用原子吸收光谱法研究了在氨基磺酸钴-镍镀液中，赫尔槽试片上不同电流密度区合金镀层中钴、镍的含量。实验表明，该方法简便，快捷，结果准确，精密度高。相对标准偏差（RSD）为0.30%-0.62%，加标回收率为97.0%-104.0%。     

种晶法控制金刚石成核的合成工艺研究

本文采用了半金刚石昌规则地排列放置在溶媒表面上的工艺方法进行了控制金刚石成核的合成实验。通过使用不同的种晶放置位置及种晶排列问题，研究了金刚石在种晶上的生长过程和影响合成结果的因素。     

羰基镍分析报警仪

羰基镍分析报警仪运用化学发光原理构成，不仅适用于羰基镍生产车间现场的检测和报警，也适于实验室的研究工作。检出限达0.037mg/m^3(0.5ppb），响应时间2min。     

测量慢弛豫介质的非线性折射率Z扫描方法

对非线性折射率慢弛豫介质的Z扫描理论进行了详细推导,得到了透射光场的表达式.分析表明:对于慢弛豫介质,其Z扫描过程也是非线性折射的累积过程.实验结果与理论分析一致. 关键词：