Growth of NaBi（WO4）2 Dendrite and Mechanism

The solid-liquid interface motion of NaBi（WO4）2 （NBWO） melt crystal growth is observed in an in situ system, in which the whole processes of interface transition from fiat interface and cellular to dendrite are visualized. The spacing of the dendrite under smaller temperature gradient turns out to be larger than that under larger temperature gradient, which is found to be sensitive to the temperature distribution. The mechanism of dendrite growth of NBWO is studied based on the model of the growth units of anion coordination polyhedra. The { 001} face has two apex links, so it shows higher stability and has high growth rate and forms the arm of dendrite, whereas the {010} face has only one apex link, and thus shows relative slower growth rate and firstly forms the branches.     

聚己二酸单(2-羧苯酚)酯的合成和表征

以己二酸酐和邻羟基苯甲酸为原料，制备了己二酸单（2-羧苯酚）酯，并以它为单体聚合得到了相应的聚酯酸酐．研究了温度、真空度对聚合物分子量的影响，得到了最佳的聚合条件：真空度66．66Pa，聚合温度200℃．在此条件下聚合2．5h，得到的聚己二酸单（2-羧苯酚）酯重均分子量达6498．另外，还对聚合物在不同pH值条件下的体外降解行为进行了研究．     

关于Lipschitz域上反射Brown运动的游程

本文具体刻画有界Lipschitz域上的反射Brown运动跨过某给定时刻t的离开Martin边界的游程.在此基础上,给出Lipschitz域上的反射Brown运动的边界过程的Levy系统.     

正态模糊格点的Feynman规则和轴矢流反常

在正态模糊格点费米子方案中,一个合理的自洽的Fourier变换显示了动量空间中周期性的破缺,从而避免了多余的费米子模.本文并讨论了弱耦合极限下模糊格点的费曼规则,计算了轴矢流反常的单圈微扰结果,获得了标准的Adler-Bell-Jackiw手征反常项.     

基于傅立叶变换轮廓术的物面相位提取

采用傅立叶变换轮廓术,针对基频提取的关键技术采用逐行傅立叶变换,准确提取基频信息的方法恢复相位信息.在此基础上,以未畸变条纹为基准,得出被测物体的真实位相值.该方法只需一幅条纹图,节约了测量时间.实验证明可实现无接触面型的自动传感.     

镍-酸性铬兰K络合物吸附波

用微分脉冲溶出伏安法研究了镍(11)与酸性铬兰K(ACBK)所生成的络合物在悬汞电极上的电化学特性及电化学反应机理，发现电极反应为镍与酸性铬兰K所生成的络合物吸附在电极表面后发生的不可逆还原。在HCl-硼砂介质中(pH8．67)，络合物在-316mV处有一吸附还原峰，其峰电流与镍浓度在0．001～0．010μ/mL范围内呈现良好的线性关系，其最低检出浓度为0．0005μg／mL。     

活动标形及其在点啮合齿轮传动误差分析中的应用

活动标形法的论述首推苏步青译，佐佐木重夫著《微分几何学》，还有的著作从外微分形式引入活动标形,本文论证取曲面的正交曲率网为参数网时，曲面论的基本公式就是活动标形的微分形式，并用其分析了点啮合齿轮传动误差．     

一类φ-强增生型变分包含问题解的存在性与迭代逼近

本文研究Banach空间中一类新的φ-强增生型变分包含问题。在实的自反的光滑Ba-nach空间中,证明了这类变分包含问题解的存在唯一性及其带误差的Ishikawa迭代程序的收敛性。本文结果是张石生教授等人的早期与最近的结果的改进与推广。     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加