测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

手征材料构成的简立方光子晶体光子带结构计算——平面波法

发展了适于计算由手征材料组成的光子晶体的光子带结构的平面波法。在此基础上，研究了由手征材料组成的简立方光子晶体的光子带结构。计算表明：手征材料“球形原子”在电介质中排列所组成的科立方光子晶体和电介质“球形原子”在手征材料中排列所组成的简立方光子晶体，不仅都存在光子带隙，而且存在截止频率，在该频率以下的区域无传播模存在，本语文认了这种光子晶体的潜在应用。     

双狭缝透射光栅软X光时空分辨谱仪

 利用双狭缝、透射光栅配亚仟X光条纹相机做了具有一维空间、时间和能谱分辨的三维软X光测量仪器(双狭缝透射光栅软X光时空分辨谱仪), 并成功地获得了金盘靶的N带X光(中心波长1.7nm)时空分辨图象 。该仪器空间分辨可达23μm, 时间分辨可达003ns, 能谱分辨(当源大小为100～300μm时对波长1.7nm的X光)可达0.4～ 0.7nm, 只需稍加改动, 即可用于其它波段的X光测量。     

CH^35Cl3和CH^35Cl2^37Cl分子V=3的傅里叶变换光谱研究

采用傅里叶变换光谱技术（ＦＴＳ）记录了ＣＨ＾３５Ｃｌ３和它的同位素分子ＣＨ＾３５Ｃｌ２＾３７Ｃｌ的Ｖ＝３的高分辨光谱，由于０．０２ｍ＾－１分经不足以分辨Ｋ结构，我们将所观察到的谱线近似归属为Ｋ＝０的转动能级，归属了ＣＨ＾３５Ｃｌ３岔子４〈Ｊ〈７３，ＣＨ＾３５Ｃｌ＾３７Ｃｌ分子６〈Ｊ〈５３的转动级。最后采用最小二乘法拟合，得到了关于Ｊ的转动常数和振动带心。     

A～190区超形变带自旋指定的再讨论(Ⅰ)偶偶核

在γ跃迁能量中扣除了ΔI=4分岔的影响后,根据ab公式,系统讨论了A～190区偶偶核超形变带,给出了绝大多数超形变带的自旋值. 部分超形变带的自旋指定值,不同于其它方法得到的结果.     

79Kr中Kπ=5－/2转动带的带交叉及其形状演化

通过⁵⁵Mn(³⁰Si,αpn)反应研究了⁷⁹Kr的高自旋态. 利用GASP阵列配以由40个△E-ESi(Au)望远镜所组成的带电粒子球实现γγγ-带电粒子符合测量,在K^π=5－/2转动带上发现了由10条新γ跃迁所构成的9条新能级,将其中(a=+1/2)和(a=－1/2)伴带分别推位于(37－/2)8992keV和(59－/2)20132keV能级. 并用推转壳模型作了分析讨论.     

高K带中的能量Staggering问题

引入Staggering指数S(I)描写γ一刚性和γ一软性核的能谱可清楚地显示其K=2带的两类不同的S(I)-I锯齿图,它们可分别用带振动一转动耦合的三轴转子模型和带三体势的IBMI的O(6)极限或角动量投影形变HF方法(PDHF)来描述.同时,还对3≤K≤8的高K带中的Staggering进行了理论预测.分析了质量数160≤A≤184区域中若干原子核的高K带能谱数据,证实了高K带中Staggering的存在,同时还发现了由S(I)的锯齿相变指出的核形状转变的证据.     

Harris公式和ab公式对超形变核转动带的适用性的比较

对A≈190区超变形转动带分别用Harris二参数公式和ab公式进行了系统分析.分析结果表明,与正常变形核动带的情况相似,Harris公式与实验有明显的系统偏离,而ab公式则与实验很接近,可以相当精确和方便地描述超变形转动带.     

薄带非晶态磁性材料晶化温度的测量

利用普通电学测量方法，通过不同加热率和保温温度测量了非晶态磁性材料的电阻率随温度变化情况，找到了非晶体磁性材料的晶化温度及其变化规律．     

紫外光辐照清洗带膜MCP的工艺研究

介绍微通道板（MCP）防离子反馈膜在Ⅲ代微光像增强器中的作用，指出微通道板防离子反馈膜的制备工艺对微通道板电性能的影响，提出清洗带膜微通道板的工艺方案，测量清洗前后带膜微通板的电学特性。