Stacking fault energy of cryogenic austenitic steels

Stacking fault energy and stacking fault nucleation energy are defined in terms of the physical nature of stacking faults and stacking fault energy, and the measuring basis for stacking fault energy. Large quantities of experimental results are processed with the aid of a computer and an expression for calculating stacking fault energy has been obtained as γ³⁰⁰_SF(mJ·m^-2)=γ⁰_SF+1.59Ni-1.34Mn+0.06Mn²-1.75Cr+0.01Cr²+15.21Mo-5.59Si-60.69(C+1.2N)^1/2 + 26.27(C+1.2N)(Cr+Mn+Mo)^1/2+0.61[Ni·(Cr+Mn)]^1/2.     

Critical Behaviour of the One—Dimensional Ferromagnetic t—J Model

The one-dimensional super-symmetric ferromagnetic t-J model is studied via the thermal Bethe ansatz.Analytic expressions of the free energy for T→O are obtained.A new critical behaviour beyond the universal class of Luttinger Liquids is found in this system.     

扁平绕带式低温高压容器绝热性能分析和计算

扁平绕带式低温高压容器是一种新型低温液体贮存设备 ,由内外两层容器组成 ,内筒体的外壁焊有液氮预冷夹套。平均蒸发率是衡量扁平绕带式低温高压容器绝热性能的重要指标。文中在分析其传热过程和壁厚温差影响因素的基础上 ,提出了一种计算其蒸发率的工程方法 ,并结合1 0 m3液氢储罐设计实例进行了计算。结果表明扁平绕带式低温高压容器具有良好的绝热性能 ,适用于重要介质的低温贮运     

94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较

在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器，分别在室温下和94K低温下，测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应。结果表明，在94K下响应有了很大的改善。当光波长从360nm增加到450nm时，响应下降了3个数量级，而常温下只下降两个数量级，但探测器的时间响应常数变长了。     

磷光光度法在药物分析中的应用

本文评述了固体基质室温磷光，流体介质室温磷光，低温磷光和室温磷光传感器在药物分析中的应用，涉及到的药物有生物碱，中草药有效成分，四环素类，喹喏酮类，维生素B2，抗癌药物，萘唑啉，萘普生和血管扩张剂潘生丁双嘧哌胺醇等，在药物分析中，固体基质室温磷光取样量只有微升级，操作快，成本低，流体室温磷光结合流动注射和化学传感技术，在药物的快速连续在线监测方面优势明显，而经过改善的低温磷体室温磷光结合流动注射和化学传感技术，在药物的快速连续在线监测方面优势明显，而经过改善的低温磷光方法，除了克服操作方面的某些弱点外，仍然保持高灵敏度的特点，随着敏化和猝死发光，能量转移，衍生发光和免疫发光等技术的发展，磷光方法在药物分析中的应用将会更加广泛。     

辉光等离子体辅助化学气相沉积低温合成金刚石薄膜的研究

采用辉光放电等离子体增强化学气相沉积 (GP CVD)技术在低温条件下合成了高品质的亚微米金刚石薄膜 ,并通过对合成过程的实时发射光谱诊断确定了 [CH4 H2 ]系统参与金刚石合成反应的主要荷能粒子。对合成过程的研究表明 :采用这种技术能使电子增强热丝化学气相沉积 (EACVD)合成高品质金刚石薄膜的温度从 85 0℃降至 (340± 5 )℃ ;薄膜低温合成中的主要荷能粒子为CH3 、CH ,CH+ 、H 等 ,其中过饱和原子氢保证了高品质金刚石薄膜的合成 ;根据光诊断和探针测量的结果推断近表面辉光放电可在基片表面形成电偶极层 ,该偶极层是进行超常态反应的必要环境 ,并在低温合成中起重要作用     

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词： 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷     

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词： 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心     

Three different low-temperature plasma-based methods for hydrophilicity improvement of polyethylene films at atmospheric pressure

Three different low-temperature plasma-based methods were used to improve the surface hydrophilicity of polyethy- lene （PE） films, and all the modification processes were carried out by employing an atmospheric pressure plasma jet （APPJ） system. （a） PE films were directly modified by APPJ using a gas mixture of He and 02. （b） Acrylic acid （AA） was introduced into the system and a polymer acrylic acid （PAA） coating was deposited onto the PE films. （c） AA was grafted onto the PE surface activated by plasma pre-treatment. It was found that the hydrophilicity of the PE films was significantly improved for all the three methods. However, the samples modified by Process （a） showed hydrophobicity recovery after a storage time of 20 days while no significant change was found in samples modified by Process （b） and Process （c）. The Fourier transform infrared spectroscopy （FTIR） results indicated that the most intensive C=O peak was detected on the PE surface modified by Process （c）. According to the X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） analysis, the ratios of oxygen-containing polar groups for samples modified by Process （b） and Process （c） were higher than that modified by Process （a）.     

低温光学系统的研制

低温光学系统对于在空间探测微弱红外目标有重要的意义。无热效应的光学系统设计保证光学系统的像质不受温度变化的影响。有限元分析方法的结构优化设计,在确保光学性能的前提下使系统的重量达到最轻。特殊的制造工艺充分消除零件内部应力。低温检测的结果表明,光学系统的温度从室温降到100K的低温,在温度变化185K的条件下,系统波面误差几乎没有变化,光学系统都能达到衍射极限的成像质量。