从经院哲学传统到实证科学方法的转变——科学发展的人文历程漫话之八

考察了从经院哲学传统到实证科学方法转变的主要历程(罗·培根引入"实验科学"概念、弗·培根创立实验归纳法、格罗塞特提倡实验与数学的结合、伽利略对实证科学方法建立的贡献、牛顿创建经典力学的公理化体系等),同时,评述了实证科学方法的核心内容.     

各向异性超导体电阻转变的修正Kosterlitz-Thouless相变模型

从二维系统的Kosterlitz-Thouless (KT) 相变理论出发，在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度，提出了修正的KT相变模型.该模型与库伦气体标度理论和Halperin-Nelson关系具有一致性.应用修正的KT相变模型研究磁场下Tl₂Ba₂CaCu₂O_x(Tl-2212)薄膜电阻转变的标度行为，发现由电阻转变计算得到的平均钉扎高度与温度具有线性依赖关系，实验结果支持修正的KT相变模型. 关键词： 标度行为 各向异性超导体 电阻转变     

基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究

采用磁控三靶(Si，Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb₂Te₃薄膜，作为对比，制备了Ge₂Sb₂Te₅和Sb₂Te₃薄膜，并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明，Si掺杂提高了Sb₂Te₃薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率，使得其非晶态与晶态电阻率之比达到10⁶，提高了器件的电阻开/关比；同Ge₂Sb₂Te₅薄膜相比，16at% Si掺杂Sb₂Te₃薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率，这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明，采用16at% Si掺杂Sb₂Te₃薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性，可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作，在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作，并能实现反复写/擦，而采用Ge₂Sb₂Te₅薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作. 关键词： 相变存储器 硫系化合物 2Te₃薄膜')" href="#">Si掺杂Sb₂Te₃薄膜 SET/RESET转变     

在玻璃转变温度及其以上温区聚苯乙烯/聚氧化乙烯共混物的动力学弛豫行为

用熔融共混法制备了不同组分的聚苯乙烯(PS)与聚氧化乙烯(PEO)共混物(PS/PEO).在玻璃转变温度T_g及其以上温区,利用相对能量耗散技术研究了该共混物的动力学行为.结果发现,在能量耗散-温度曲线上出现了两个弛豫型的耗散峰(α峰和α′峰).分析表明,α峰是与PS玻璃转变有关的特征耗散峰; α′峰则对应于一种“液-液转变”.两者的弛豫时间τ都不满足Arrhenius关系.此外,还研究了组分对这两个弛豫型耗散峰的影响,并给予了定性的解释. 关键词： 相对能量耗散 玻璃转变 力学弛豫     

“三化”是创新型人才的必需——纪念赵九章院士百年华诞

在向自主创新型国家转变的新形势下,纪念赵九章院士有重要的现实意义.科教兴国,人才是关键.当今最需要什么样的人才呢?小平同志指出:"如果上世纪60年代以来中国没有原子弹、氢弹,没有发射卫星,中国就不能叫有重要影响的大国,就没有现在这样的国际地位."     

La2/3Ca1/3MnO3样品的磁和电子输运性质研究

实验研究了La2/3CamMnO3样品零磁场下的电阻率和低磁场下的磁化强度随温度的变化行为．结果表明，除了居里温度(Tc)外还存在另一特征温度Tonset，高于Tonset的样品为典型的顺磁绝缘体，而低于Tc的样品为典型的铁磁金属，但在Lonset和Tc之间，样品的磁化率大大偏离居里一外斯定律，同时其导电特性显示出明显的反常．对观察到的不寻常导电特性，根据铁磁金属集团在顺磁绝缘体背景上随机分布的假设，进行了分析与探讨。     

大管径油气两相流流型变化机理的研究

本文对大直径水平和不同倾角的倾斜管道内油气混输流动的流型及流行转换进行了研究,探讨大直径油气混输管道不同倾斜度油气两相流动过程中段塞流的形成机理。在大型多相流流动模拟实验装置上,模拟油气在大直径管道内的混输流动。通过改变倾斜角度,研究倾角分别为1°、5°以及10°下的油气两相流流型及流型转换的特性,实验结果表明,倾斜角度对段塞流流型的产生及其变化影响显著。     

CuZnAl记忆合金有序转变的固体电子论分析

应用固体经验电子理论,并联系 G.Inden 的有序转变温度与原子间作用能的关系式,计算了 CuZnAl 记忆合金的 A_2到 B_2,B_2到 DO_3两种有序转变温度随合金元素变化的规律。计算得出的变化趋势与实验结果符合得相当好,表明所采用的理论模型可以说明 CuZnAl 合金的记忆性能和用来指导探索新的记忆合金。