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六年前,加拿大圭尔夫大学的辛普森报告其在氚的β衰变实验中找到了质量为17keV的中微子,这个质量为电子的1/30,大大高于其他人在氚衰变电子能谱末端测得的非零中微子质量值.但辛氏的实验结果很快受到一批新实验的否定,只给人们留下了怀疑.然而最近几个月来,这一问题又一次成了物理学家们的热门话题.全世界共有五个核β衰变新实验获得了结果. 相似文献
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高临界温度氧化物超导体的临界电流 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。 相似文献
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采用水热法合成MnOOH一维纳米线,通过MnOOH在不同气氛和温度中煅烧得到尺寸和形貌相似的不同锰氧化物,并用于以O2为氧源的苯甲醇液相氧化反应. 结果表明,MnO2对苯甲醇氧化反应具有较高的催化活性. 通过XPS、SEM、TEM和H2-TPR等手段对催化剂的形貌和结构进行了表征,并讨论了可能影响反应活性的一些因素. MnO2的良好催化性能可能与其晶格氧具有较高的迁移率以及氧化还原能力有关. 通过简单的焙烧处理,可以使MnO2催化剂在苯甲醇氧化反应中具有良好的重复使用性. 相似文献
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High-mobility two-dimensional electron gases at oxide interfaces: Origin and opportunities 下载免费PDF全文
Our recent experimental work on metallic and insulating interfaces controlled by interfacial redox reactions in SrTiO3-based heterostructures is reviewed along with a more general background of two-dimensional electron gas(2DEG)at oxide interfaces.Due to the presence of oxygen vacancies at the SrTiO3surface,metallic conduction can be created at room temperature in perovskite-type interfaces when the overlayer oxide ABO3has Al,Ti,Zr,or Hf elements at the B sites.Furthermore,relying on interface-stabilized oxygen vacancies,we have created a new type of 2DEG at the heterointerface between SrTiO3and a spinelγ-Al2O3epitaxial film with compatible oxygen ion sublattices.This 2DEG exhibits an electron mobility exceeding 100000 cm2·V 1·s 1,more than one order of magnitude higher than those of hitherto investigated perovskite-type interfaces.Our findings pave the way for the design of high-mobility all-oxide electronic devices and open a route toward the studies of mesoscopic physics with complex oxides. 相似文献
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The dielectric loss tanfi of half-doped manganite Lao.sCao.sMnO3 is investigated using Green's function technique. The Lao.sCao.sMnO3 is described by the Kondo-lattice model in the double exchange limit, taking into account the Jahn- Teller distortion and the super-exchange interaction between the localized electrons. It is found that the intensity of tans decreases with increasing [e]TI, V, and U. It is also observed that the transition temperature Tp rises as l eJTI and U increase. It is worth noting that Tp remains unchanged and the strength of tans increases with increasing g. The calculated dielectric loss results are explained theoretically, and these behaviors are in qualitative agreement with the experimental results. 相似文献