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991.
It is well known that the indistinguishability of particles causes interference. We give a “which way” experiment of two-photon interference marked with polarization. The result shows that the greater the distinguishability of the path by which two-photon passes, the lower the fringe visibility will be, and this phenomenon will disappear when the path becomes completely distinguishable. 相似文献
992.
在磁电子学领域,自旋极化输运与分子器件的结合是一个热门研究方向.最近,来自美国康奈尔大学的Pasupathy等,采用纳米加工技术,将单个C60分子吸附在一对Ni电极之间,构成了“铁磁电极-C60量子点”器件.量子点的Kondo效应和铁磁性交换耦合,原本是相互排斥的,在Pasupathy的实验中,两者被首次结合在一个器件中并加以观察.研究结果表明,如果器件的质量能够保证两种效应之间的竞争得到有效控制, 相似文献
993.
Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。 相似文献
994.
995.
建立了用于测试电流变液在两平行平板间剪切时对外加高压阶跃电场的剪切应力响应的实验测试系统.此系统对剪切应力变化的时间分辨率可以达到10 μs量级.利用此系统对基于沸石和硅油的电流变液的极化和退极化过程,电流变液在不同外加电场强度和不同剪切速率条件下的剪切应力上升和撤去电场时剪切应力的下降过程进行了研究.研究发现电流变液的剪切速率越高,其响应时间越短,随着外加电场的升高,响应时间略有增加.此实验结果与其他现有相关研究结果比较吻合. 相似文献
996.
利用外加电场极化的方法,分别研究了三种不同方式布置的极化电极对C向切割LiNbO3< /sub>晶体极化反转畴扩张的影响.实验结果表明在相同极化条件下,当极化电极长度方向与六边 形反转畴一对边呈90°和0°角时,极化扩张速度分别为0.089μm/ms和0.011μm/ms.实验结果揭示,为了有效地控制极化占空比,在制备一维准相位匹配LiNbO3晶体时应 避免极化电极与六边形反转畴壁中一对边呈90°的情况.
关键词:
周期极化
极化扩张
准相位匹配 相似文献
997.
K+-Na+二次离子交换制作玻璃波导 总被引:4,自引:4,他引:0
通过数值计算模拟了K+Na+二次扩散玻璃波导的折射率轮廓,阐述了利用K+Na+二次离子交换的方法,在BK7玻璃上制作波导的过程,分析了极化率不同的扩散离子对的选择对波导有效折射率变化的影响,以及扩散平衡时体积变化对表面折射率的影响,描述了扩散引起的波导内部诱导应力变化设计了测试波导损耗以及波导表面折射率改变的实验装置,对尺寸10mm×10mm×1.5mm和10mm×5mm×1.5mm两组BK7玻璃基片上的玻璃波导进行了测试,测试结果与理论吻合较好. 相似文献
998.
分离核自旋正和仲分子的新方法(Phys.Rev.1998,A57:3753)被应用于^23Na2的分离。热管炉内的^23Na原子用光泵技术准备在由电子和核自旋定义的单一精细塞曼能级。^23Na2分子的激光诱导荧光光谱揭示出不仅浓缩了正^23Na2与仲^23Na2的比,而且还大幅度地提高了总分子数量。这些结果支持了我以前进出的机制:由精细塞曼态准备的原子改变了原子-分子体系的热力学平衡。(1)分子密 相似文献
999.
自旋极化电子束的获得,为自旋极化电子与原子碰撞符合实验研究奠定了基础,通过符合实验,已经能够获得电子原子碰撞的更多的信息,而且能够探测到碰撞过程中的自旋相关效应,并为分子结构及固体表面的研究提供了一种新的研究手段. 相似文献
1000.
在厚度为25-400nm范围内,系统地研究了(001)SrTiO3(STO),(001)LaAlO3(LAO)衬底上La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)薄膜的电输运与居里温度TC随薄膜厚度及衬底的变化.结果表明,随薄膜变薄,电阻率ρ增加,TC降低.对于同一薄膜厚度,LCMO/STO薄膜的ρ大于LCMO/LAO基上的薄膜的ρ.TC与衬底的依赖关系则与ρ相反.分析表明,LCMO薄膜的低温区电阻温度(ρ-T)符合关系式ρ=ρ0+Bωs/sinh2(hωs/2/kBT)+CTn,其中ρ0为剩余电阻;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献;第三项包括其余可能散射机理在电输运过程中所起的作用;B,ωs(软光学模声子的平均频率)与C都为拟合系数.高温区的电输运则由小极化子跃迁模型ρ=DT×exp(Ea/kBT)描述(Ea为极化子激发能).根据ρ0,ωs,Ea以及TC变化,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应.进一步研究发现ωs,Ea的变化与TC相关,从而说明极化子效应为影响TC变化的主要因素. 相似文献