全文获取类型
收费全文 | 2943篇 |
免费 | 443篇 |
国内免费 | 495篇 |
专业分类
化学 | 894篇 |
晶体学 | 31篇 |
力学 | 317篇 |
综合类 | 136篇 |
数学 | 1288篇 |
物理学 | 1215篇 |
出版年
2024年 | 20篇 |
2023年 | 61篇 |
2022年 | 81篇 |
2021年 | 99篇 |
2020年 | 60篇 |
2019年 | 84篇 |
2018年 | 47篇 |
2017年 | 79篇 |
2016年 | 95篇 |
2015年 | 115篇 |
2014年 | 242篇 |
2013年 | 195篇 |
2012年 | 368篇 |
2011年 | 300篇 |
2010年 | 230篇 |
2009年 | 182篇 |
2008年 | 494篇 |
2007年 | 154篇 |
2006年 | 125篇 |
2005年 | 117篇 |
2004年 | 118篇 |
2003年 | 112篇 |
2002年 | 95篇 |
2001年 | 80篇 |
2000年 | 53篇 |
1999年 | 37篇 |
1998年 | 43篇 |
1997年 | 16篇 |
1996年 | 29篇 |
1995年 | 19篇 |
1994年 | 32篇 |
1993年 | 19篇 |
1992年 | 23篇 |
1991年 | 10篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1982年 | 4篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有3881条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
《光学技术》2013,(4):297-299
可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)具有高选择性、高准确性的优点,为逃逸氨的在线检测提供了可靠的技术手段。首先研究了温度对NH3浓度检测的影响,表明在25300℃之间,浓度随温度的升高而降低;然后在室温为25℃时,利用TDLAS系统对浓度为10300℃之间,浓度随温度的升高而降低;然后在室温为25℃时,利用TDLAS系统对浓度为10100ppm的NH3进行检测,采集得到其二次谐波光谱。比较了单光程和多光程样品池测量结果,得到单光程样品池最低检出限为22.9ppm,多光程样品池的检测限为1.21ppm,多光程样品池能够明显地提高检测精度。结果表明,该系统能够适应现场测量环境。 相似文献
22.
本文在变量选择问题的基础上,提出了一种新的图示模型──减变残差图。并给出它的两种推广形式:均值平移异常值检验图和部分影响诊断图。通过它们不但可以容易地考察一个变量在模型中的作用和检验异常值,而且可以诊断样本点对模型和变量的影响大小。 相似文献
23.
采用五元二次回归旋转正交组合设计方法,通过1990—1991年秋植蔗试验,建立蔗糖产量与种植密度,尿素、钙镁磷、氯化钾、桐麸的施用量等主要农艺措施之间的数学模型,得出各主要农艺措施及它们相互之间的作用对蔗糖产量的影响程度,并优选甘蔗生产的最优综合栽培农艺措施方案。 相似文献
24.
为探究方位径向摆运动的影响因素,使用影像追踪软件Tracker分析径向摆运动轨迹,控制多个变量,得到不同条件下摆球运动图像,计算得到转化时间.通过分析图像,发现方位径向摆的运动受到方位角的大小、弹性杆直径、弹性杆长度、径向摆摆长等多因素影响. 相似文献
25.
设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺实现。该芯片采用传统的开关发射极跟随器(SEF)作为跟踪保持核心电路,Cherryhooper电路作为输入缓冲和输出缓冲的带宽增强核心电路,并利用交叉反馈电容抑制馈通。为了验证上述电路的有效性,设计了一个单级THA电路,测试结果为MS-THA电路提供了足够的支持。在单电源+3.3 V供电、输入直流电平为0 V,2 G/s采样率以及−3 dBm输入信号功率条件下,获得的单端输出无杂散动态范围小于−23.5 dB,总功耗约为300 mW。 相似文献
26.
27.
28.
29.
为确定飞秒激光光束对微尺度结构的烧蚀深度,研究了给定功率条件下对应的激光束有效烧蚀焦距。提出采用激光焦点处获得的烧痕阵列图像及在离焦状态下提取烧痕图像特征,通过分析图像特征与离焦距离,获得激光束有效烧蚀焦距范围的方法。在激光束焦点附近的硅晶片表面烧蚀出斑痕阵列,向下逐渐减小焦距,采集硅晶片斑痕图像,提取斑痕平均像素面积及斑痕目标与背景之间的R分量灰度差,获得斑痕像素面积及灰度差随激光束焦距变化的曲线;向上逐渐增大焦距,提取并获得斑痕像素面积及灰度差随激光束焦距变化的曲线。结合激光束向下离焦阈值(633 μm)及向上离焦阈值(993 μm),确定20 mW输出功率条件下,飞秒激光在硅晶片材料表面的有效烧蚀深度为360 μm。采用中位值方法确定了激光束在硅晶片表面聚焦时的焦距为0.823 mm。实验表明,激光烧蚀斑痕像素面积及灰度差与激光束焦距之间的关系能够客观地反映激光束有效烧蚀焦距的变化范围。 相似文献
30.