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101.
函数的零点主要涉及三个方面的问题:连续函数零点的存在性;连续函数零点个数的判定;求连续函数零点的近似解(二分法).在以上三个问题的考查中,常常涉及到参数取值范围的求解,主要从问题的逆向方面进行考察.这类问题是目前新课标下高考的重点、难点、热点,如何引导学生解决这类问题?笔者认为应从两方面入手. 相似文献
102.
同学们,在数学中的零,即0这个数可真是个特别而又有趣的数!不是吗?当用它来表示物体的个数时,0就表示没有即一无所有!同时在实数中我们知道,数0又是唯一的一个中性数——既不是正数也不是负 相似文献
103.
分段函数是一类特殊表达形式的函数,指的是自变量在不同的取值范围内,其对应法则不相同的函数.它不仅在初等数学乃至高等数学中具有重要的理论价值,而且具有较广泛的应用价值.笔者经过研究发现:把握住分段函数的图象特征对于解决此类问题而言具有至关重要的作用,下文将就“分段函数”问题中的几种特殊图象展开例析. 相似文献
104.
本文用C++/MPI并行程序实现了一个高次方程的大范围收敛并行求解算法(正项分解-半线性化技术),通过在微机机群和单机上测试表明,该程序在微机机群上求解高次方程的速度明显高于单机的求解速度,该程序具有实用价值。 相似文献
105.
106.
107.
基于滑速比的气水两相流气相流量计算方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
目前对气水两相流的分相流量的研究中,多是针对两相流总流量和液相分相流量进行,对气相分相流量的研究很少.本文利用文丘里管和含气率传感器对空气水两相流气相流量计算方法进行了研究,在均相流模型基础上考虑了滑速比因素造成的影响,探讨了两相流气相流量计算方法.结果表明,该方法相对于传统的均相流模型在计算精度上得到了显著提高. 相似文献
108.
电感电路和电容电路在电子技术的滤波电路中有着重要作用,损耗电阻的大小是设计滤波电路参数的重要依据.人们通常在讨论电感和电容特性时,都把电感和电容当作纯电抗性元件,认为在低频段它们不存在损耗电阻,只有在10。Hz以上的高频范围内才有损耗电阻存在,事实是这样吗?事实并非如此,本文试图通过实验测试分析电感电容在10^3~10^4Hz的频率范围内它们的损耗电阻不能忽略,而且电感的损耗电阻随着频率的升高而增大,电容的损耗电阻随着频率的升高而降低. 相似文献
109.
1教学内容分析 本课内容为<普通高中课程标准物理教科书·物理1>(鲁科版必修1)第二章"运动的描述"第3节,本节内容分两个课时完成.这是第二课时加速度的概念学习,在整个共同必修课程中,该内容的学习和掌握是非常必要的.加速度是运动学中的一个重要的基本物理量,是将运动和力联系起来的桥梁.由于加速度概念与其他物理知识的联系性强,涉及面广,特别是在分析、解决跟动力学相关的实际问题中经常牵涉到,因此对加速度的理解和掌握程度如何,不仅直接关系到本章后续必修模块的进一步学习,而且还将影响以后选修模块的学习和掌握.所以这一课时的内容是本章知识的重点之一,本节课的关键是促进学生对加速度概念的形成和理解. 相似文献
110.
在室温下,乙二胺环境中合成了高度有序的介孔材料MCM-41,并将经热处理的发光客体Tb(aspi-rin)3phen组装进其孔道,通过激发发射光谱对其光致发光性能进行了研究。结果表明,Tb(aspirin)3phen240~375 nm区间的宽激发峰归属于配体aspirin羰基n→π*跃迁、苯环π→π*跃迁,和phen的杂菲基团吸收,Tb3 的特征发射是由于Antenna效应引起的。相对于纯Tb(aspirin)3phen,Tb(aspirin)3phen-MCM-41B和Tb(aspirin)3phen/MCM-41A的激发谱带出现了明显的分裂,而Tb(aspirin)3phen-MCM-41A只在353nm处剩下了相对较窄的单峰。Tb(aspirin)3phen-MCM-41B,Tb(aspirin)3phen/MCM-41A和Tb(aspirin)3phen-MCM-41A的短波段激发峰依次减弱消失,长波段激发峰逐渐增强,而405 nm发射峰强度IL和544 nm发射峰强度ILn的比值I(I=IL/ILn)依次减小。MCM-41骨架与Tb(aspirin)3phen成键后,不同程度降低了配体aspirin和phen单重态S1和三重态T1能级,且对phen的影响大于aspirin。不同的MCM-41表面晶格场对配体能级的影响顺序为:MCM-41B外表面>MCM-41A外表面>MCM-41A内表面。I值可定性表示MCM-41表面晶格场对配体能级影响程度和MCM-41表面Tb(aspirin)3phen的含量。 相似文献