Bright Solitons in an Atomic Tunnel Array with Either Attractive or Repulsive Atom-Atom Interactions

Taking a coherent state representation, we derive the nonlinear Schroedinger-type differential-difference equations from the quantized model of an array of traps containing Bose-Einstein condensates and linked by the tunnelling process among the adjacent traps. It is shown that no matter whether two-body interactions among atoms are repulsive or attractive, a nearly uniform atom distribution can evolve into a bright soliton-type localized ensemble of atoms and a lump of atom distribution can also be smeared out by redistributing atoms among traps under appropriate initial phase differences of atoms in adjacent traps. These two important features originate from the tailoring effect of the initial phase conditions in coherent tunnelling processes, which differs crucially from the previous tailoring effect coming mainly from the periodicity of optical lattices.     

退火对IrMn基磁隧道结多层膜热稳定性的影响

采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlO_x/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理. 将在不同温度退火的磁隧道结结构多层膜置于负饱和场中等待,研究退火温度对样品热稳定性的影响. 结果表明:退火提高了多层膜反铁磁层的单轴各向异性能,增加了样品的交换偏置;随着负饱和场等待时间的延长,被钉扎层的磁滞回线向正场偏移,交换偏置单调减小,但退火减弱了这种趋势. 关键词： 磁隧道结 交换偏置 磁化反转     

有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究

有机半导体薄膜的光、电等性质取决于有机分子的取向以及长程有序性.研究有机半导体的生长机理以及内在驱动力是一个重要环节.文章通过两个典型生长体系,perylene 在Ru(0001)表面上的生长和tetracene在Ag(110)表面上生长过程的介绍,给出了形成有机半导体晶化薄膜的可能性以及决定其有序生长的内在驱动力.对于perylene 在Ru(0001)表面上的生长,决定其过程的主要驱动力是分子间的相互排斥作用,在单分子层时,由于这种相互作用导致形成Ru(0001)- 12×12-8 perylene有序超结构.而对于tetracene/Ag(110)体系,决定生长的驱动力主要表现为相互吸引作用,因此,在小于单分子层时,tetracene呈有序的岛状生长;而当tetracene膜的厚度大于单分子层时,呈逐层生长模式,并形成具有正交晶系结构的晶化薄膜.     

缓释片中新斯的明的含量测定

采用紫外分光光度法测定新斯的明缓释片中新斯的明的含量及对其稳定性进行研究。结果表明,新斯的明浓度在80—560μg.mL-1范围内与吸光度呈良好的线性关系,回归方程为：A=0.0016C-0.0089,r=0.9999;平均回收率为100.46%,RSD为0.89%（n=9）。该法简便、快速,重现性好,结果准确可靠。     

浅谈纳米科学技术

 一、纳米科学技术的诞生 纳米（nanometer）即毫微米,1nm=10^-9m.纳米科学技术（简称Nano ST）是指在1-100nm原子分子尺度上的基础研究和技术应用的一门新的科学技术。     

物理新情境型问题的特性、价值和编制

从学习和发展的角度看,问题解决教学仅仅局限于"认知和理解"的层面是不够的.素质教育的今天,我们的教学要培养的是具有创新精神和实践能力、能适应未来社会生活和发展的新人.因此,有助于这些目标实现的学习、训练、检测材料的选择是教学改革的一个关键.     

正常金属/超导/正常金属双垒隧道结中的量子相干输运

考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。     

有机薄膜器件负电阻特性的影响因素

研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素，为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件，研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下，所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3～4V时，观察到明显的负电阻特性，电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素，认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物，该聚合物兼具空穴和电子传输功能，在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件，有可能得到易于控制的负阻效应，开发出新型的有机负电阻器件。     

gb→tH－的超对称QCD单圈修正和非退耦效应

在最小超对称标准模型的框架内计算了gb→tH^－过程产生截面的单圈超对称QCD修正.结果发现:若胶子质量和超对称软破缺参数μ或A_t,A_b同量级且趋于很大,就会出现超对称QCD的非退耦效应.大的tanβ值可以提高非退耦的贡献,因此大tanβ情况下,较大的修正结果可能在Tevatron和LHC上观测到.非退耦行为的根本原因在于圈图中的某些耦合顶角正比于超对称质量参数.