膨胀石墨 3 mm波消光数值计算

为探讨膨胀石墨作为3 mm波干扰材料的消光、散射特性及其影响因素, 基于有限长度、有限电导率圆柱状导体的电磁散射, 利用矩量法建立了膨胀石墨的消光、散射、吸收及后向散射截面(雷达散射截面RCS)的计算式. 运用Mathematica编程计算并分析了膨胀石墨长度、半径、电导率、磁导率等因素与膨胀石墨消光、散射、吸收截面及RCS的关系. 结果表明: 当膨胀石墨的长度为1.5 mm、半径为0.05 mm时, 具有较好的消光、散射效果; 适当增大膨胀石墨的电导率、磁导率, 有利于提高其消光、散射能力. 本研究为探索增强膨胀石墨干扰3 mm波效果的技术途径提供了有价值的参考. 关键词： 膨胀石墨 石墨层间化合物 消光截面 矩量法     

基于Lascenov多项式零点的(0,2)-插值的正则性

本文给出了基于Ｌａｓｃｅｎｏｖ多项式零点（０，２）－插值正则性的充要条件，并给出基多项式存在时的明显表达式。     

有理插值型求积公式的存在性与收敛性

构造两种奇点预先给定的有理插值型求积公式(RIQFs),在一定条件下证明其存在唯一性和收敛性,结果推广了普通的插值型求积公式和Gauss型求积公式.     

MOMENT EXPANSIONS OF PROTON DIPOLAR SPINNING-SIDEBAND INTENSITIES IN A 1H MAS NMR SPECTRUM

对于包含分子和分子基团绕至少一个轴高速运动的固体体系，本文推导出其质子核磁共振谱的偶极魔角旋转边带强度的理论计算表达式，建立了用其静态粉末谱的矩的展开的计算方法，计算出旋转边带强度按三十阶矩展开的系数，它可以处理包含高达十五阶边带的谱.     

均匀设计抽样的一、二阶矩

（７）中给出并研究了均匀设计抽样（ＵＤＳ）及随机化均匀设计（ＲＵＤ）的一些优良性质，作者给出该设计和抽样的一、二阶矩。     

一类指数型整插值算子在H(o)lder度量下的逼近和饱和

设SUα(f,x)=∑k∈Zf(xk)Uσ(x-xk),xk=2kπ/σ,k∈Z,σ＞0,Uσ(y)=2/σ∫σ0 P(i(σ-x))/P(ix)+P(i(σ-x))cosxydx,其中P(t)=m∑j=1cjtj是常数项为0的m次实系数多项式,m为奇数.本文研究此指数型整插值算子在Holder 度量下的逼近和饱和问题,确定了饱和类和饱和阶.     

Hermite四点插指公式

文章利用Hermite插值基函数,将求解Hermite四点插指问题转换为求解8个派生出来的多项式插值问题,证明了Hermite四点插指公式的存在唯一性,并用两种方法构造出Hermite四点插指公式,最后给出了一个算例.     

复曲线上的Jackson型定理

令$\Ga$是复平面(z)中的光滑闭Jordan曲线. 作者借助于Hermite插值的基多项式, 引入连续函数插值, 它一致收敛于$f(z)\in C(\Ga)$,且具有和实区间$[-1, 1]$上Jackson定理1中一样的逼近阶, 并证明了这里逼近阶的精确性. 利用和以往工作不同的方法, 研究了同时逼近到函数及其导数, 并得到和实区间$[-1, 1]$上Jackson定理2一样的理想结果.     

有理插值问题不适定的根本原因

1　在 Rm,n中的有理插值问题本文记 Pn为次数不超过 n的一元多项式函数类 ,约定零多项式的次数为 -∞ ,即deg(0 ) =-∞ ;记 Rm,n为分子属于 Pm,分母属于 Pn\{ 0 }的一元有理函数类 .对既约分式Am/Bn∈Rm,n,如果 Bn满足尾项规范条件 (即 Wuytack条件 ) [2 ] ,则称其为标准既约分式 .引进一个新的有理函数类 ,记Rl =Rl- 1 ,0 ∪ Rl- 2 ,1 ∪…∪ R0 ,l- 1 .称 Rl 是自由度为 l的一元有理函数类 .并称其中有理函数类 Rl- 1 - i,i为有理函数类 Rl 的基本子类 ,(i=0 ,1 ,… ,l-1 ) .我们约定 :本文中“有理插值问题”如不特殊声明 ,系指文…