低温下低掺杂硅P—N结正向伏安特性的异常现象

实验观察到低温下低掺杂硅 P-N 结的异常现象.在14—25K 的温区里,出现正向伏安特性曲线交叉、击穿电压峰以及当正向注入电流恒定时正向电压随温度变化特性呈现非单调性.对异常现象作了讨论,提出低温下“热”载流子的存在引起杂质碰撞电离可能是产生这些现象的原因.     

镍的14MeV中子反应分截面测量

用活化法测量了⁵⁸Ni(n,2n)⁵⁷Ni反应截面和⁵⁸Ni(n,p)^58mCo,⁵⁸Ni(n,p)^58gCo,⁵⁸Ni(n,p)^58m+gCo反应分截面,入射中子能量为14.10MeV和14.62MeV,所得结果与已有数据作了比较,首次给出了^58mCo和^58gCo产生分截面的数据.     

CuO在CeO2和γ—A12O3上的表面性质及对NO＋CO反应性能的研究

在色谱—微反实验装置上考察了CuO/CeO2、CuO／γ—Al2O3及CeO2改性的催化剂对NO CO的反应性能，并用TPR、XRD、XPS、BET和NO—TPD等技术对上述催化剂进行了表征．结果表明催化剂活性的提高与铜物种在两种载体(CeO2和γ—Al2O3)上的价态(Cu^2 和Cu^ )、分散状态和吸附特性有关．TPR实验显示CuO在CeO2上存在两种还原物种，而在γ—Al2O3上只有一种还原物种．XPS检测表明CuO/CeO2的Cu2p3／2结合能值与Cu^2 和Cu^ 的标准结合能基本吻合，而CuO／γ—Al2O3的Cu2p3/2结合能值接近或略低于Cu^2 的标准结合能．NO—TPD实验表明催化剂表面的NO脱附峰温低于载体表面的NO脱附峰温，而CuO/CeO2表面的NO脱附峰温低于CuO／γ—Al2O3表面的NO脱附峰温，说明NO在CuO/CeO2表面的分解活性大于CuO／γ-Al2O3，而NO在催化剂表面的分解活性大于载体．     

非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法，成功制备出从非晶到微晶过渡区 域的硅薄膜. 样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜 兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p- i-n太阳能电池，并测量了其稳定性. 结果在AM15(100mW/cm²) 的光强下曝光 800—5000min后，开路电压略有升高，转换效率仅衰退了29%. 关键词： 相变域硅薄膜 光电特性 太阳能电池     

有机-无机复合质子交换膜的制备与界面特性

有机-无机复合质子交换膜的开发是燃料电池用质子交换膜的一个重要研究方向,本文综述了有机-无机复合质子交换膜的制备方法,分析了两相之间的界面特性,并对这种复合膜的研究前景进行了展望.     

F／Cl与Eu^2＋：BaFcl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ＾２＋：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ＾２＋：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。     

面阵CCD用于目标亮度的测量

介绍采用专用ＣＣＤ摄像机获取信号、微机控制和处理数据的远场亮度分布测量系统，并给出实验结果。     

直流电致发光器件在脉冲电压激发下光电特性的测量

我们用单极性脉冲电压激发ＺｎＳ－Ｍｎ，Ｃｕ粉未发光器件并测量了光电特性。研究了不同形成电压下脉冲电流同脉冲电压的关系；过电压激发下积分亮度的变化；积分亮度同激发脉冲的频率和占空比的关系。我们也测量了一个脉冲期间在发光器件年的瞬态电压变化，看到了负阻效应。     

28MeV/u 18O与全阻止厚天然铅靶反应中丰中子汞同位素的截面测量

本次实验利用28MeV/u的¹⁸O束流和一套在线熔化铅靶装置以及4πΔEβ—γ符合技术,测量了该中能重离子反应中丰中子汞同位素^205—208Hg生成的相对截面比以及绝对截面的近似值.并外推出了²⁰⁹Hg的可能生成截面.发现由靶核²⁰⁸Pb削裂两个质子添加一个中子而生成²⁰⁷Hg的截面有一个突然的比较大的下降,这可以由反应的Q值的变化规律得到解释.