铕(Ⅲ)激活的磷酸镧发光性质研究

LaPO₄:Eu³⁺的发射光谱包含较强的Eu³⁺⁵D_o→⁷F₁跃迁发射和较弱的⁶D₁→⁷F₁跃迁发射。主发射峰583nm,对应于Eu³⁺5D_o→⁷F₁跃迁.通过对Eu³⁺的两种跃迁发射强度及荧光寿命和Eu³⁺浓度关系的测定和理论分析,探讨了发光中心Eu³⁺离子同的交叉弛豫和能量迁移机理。     

用核磁共振二维谱分析吗啡的构型和氢键

本文用核磁共振二维谱技术证明了吗啡质子谱的谱线归属和分子构型, 用NOESY技术发现了溶剂分子与溶质分子之间形成氢键的空间构型。     

石墨炉原子吸收法测定锡的基体改进剂研究

研究了石墨炉原子吸收光谱法测定锡的混合基体改进剂,用转靶X射线衍射分析探讨了金属元素氧化还原性质不同的两类改进剂的稳定机理,两种改进剂能使锡的灰化温度分别提高到1400℃和1350℃,但Mg(NO₃)₂会对锡的测定造成较大的背景吸收,镍加抗坏血酸后可显示更多的优点,既使灰化温度提高500℃,测定灵敏度也提高2倍,同时又降低了背景吸收和基体干扰,用此法测定水系沉积物标样,结果一致.     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其机理研究

利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La_0.5Sr_0.5CoO₃(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性,在LaAlO₃,SrTiO₃和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明,外延生长的最佳温度范围为700—800℃,最佳衬底为LaAlO₃.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性 关键词：     

硅基MIS隧道二极管的研究

硅基ＭＩＳ隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基光器件提供了可能性,报道了ＭＩＳ隧道发光二极管的制作 过程,电流电压和发射光谱特性,讨论了负阻现象和发光机理。     

壳聚糖对Cu^2＋吸附行为及机理研究

用间歇吸附法研究了壳聚糖对Ｃｕ＾２＋的吸附性能,考察了壳聚糖脱乙酰化度、分子量对吸附性能的影响及等温吸附情况,并利用ＸＰＳ技术研究了吸附前后壳聚糖中Ｎ、Ｏ、Ｃ元素及Ｃｕ＾２＋的结合能变化,结合物质结构性能,探讨了壳聚糖吸附Ｃｕ＾２＋的吸附机理。     

竞争失效产品步进应力加速寿命试验的优化设计

本文在一般ｋ个未知参数的加速寿命方程下,以各失效机理的对数平均寿命的ＭＬＥ的渐进方差之和最小为准则,解决了指数分布场合下具有ｐ（ｐ≥１）个竞争失效机理的产品,ｋ个应力情况下的步加试验的优化设计问题．本文既可以看成是Ｄ．Ｓ．Ｂａｉ,Ｙ．Ｒ．Ｃｈｕｎ（１９９１）的推广,又可以看成是程依明（１９９４）的推广．     

青蒿素抗疟机理研究最近的重要进展

１．论文名称ＵｎｉｆｉｅｄＭｅｃｈａｎｉｓｔｉｃＦｒａｍｅｗｏｒｋｆｏｒｔｈｅＦｅ（Ｉ）－ＩｎｄｕｃｅｄＣｌｅａｖａｇｅｏｆＱｉｎｇｈａｏｓｕａｎｄＤｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ／Ａｎａｌｏｇｕｅｓ．ＴｈｅＦｉｒｓｔＳｐｉｎ－ＴｒａｐｐｉｎｇＥｖｉｄｅｎｃｅ...     

负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌

本文介绍了一种新的形貌判定准则--配位多面体生长习性法则.首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则.即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关.显露配位多面体顶点的晶面生长速度快,显露面的晶面生长速度慢,显露棱的晶面生长速度介于两者之间.此外,晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关.显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快.根据此法则成功地解释了γ-AlO(OH)晶体和极性晶体ZnO,SiO2的形貌特征.最后,本文还提出了两种晶体形貌的调制方法,即添加剂调制法和过饱和度调制法.成功地调制了ZnO晶体的形貌.     

自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究(2)

在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.