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111.
异方差回归中的广义方差比检验 总被引:1,自引:0,他引:1
在同方差假设之下,线性模型在回归分析的理论与应用方面起着突出的作用,很受许多研究工作者的青睐.然而,回归模型中同方差性这一标准假设不一定总是成立的.因此我们考虑了用一类基于似残差的方法来检验异方差情形下线性模型拟合观测数据的情况.本文既给出了大量的模拟,又给出了实际数据作为应用的例子.效果都很好. 相似文献
112.
增长曲线模型中回归系数的广义根方估计 总被引:6,自引:0,他引:6
本文对增长曲线模型中的回归系数B提出了一种新的估计形式-广义根方估计的B(K),其中K=diag(k1,k2,…,kp)并证明了通过广义根方偏参数ki(i=1,2,…,p)的适当选取可使得该估计在均方误差矩阵的意义下优于已有的LS估计和根方估计,及广义根方估计是可容许估计,本文还给出了选取广义根方偏参数的两种方法,算法及一个应用实例。 相似文献
113.
114.
用于积分方程解的广义逆函数值Pade逼近的ε—算法和η—算法 总被引:2,自引:2,他引:0
为加速具有函数值系数的幂级数收敛并估计积分方程的特征值,建立了两个计算广义逆函数值Pade逼近的有效的递推算法:ε-算法和η-算法,借助于这两个算法之间的内在关系,给出了广义函数值Pade逼近的名的Wynn恒等式。 相似文献
115.
116.
117.
118.
给出了低阻抗二极管产生的电子束能谱分布及外加磁场对二极管阻抗影响的数值模拟研究结果。结果表明,即使在外加电压恒定的条件下,二极管产生的电子束也具有一定的能谱分布,这说明用二极管电压、电流波形计算脉冲电子束能谱分布是不正确的。另外,外加磁场对低阻抗二极管的阻抗特性具有较大影响,其阻抗随外加磁场的增大而减小。分析认为这是由于外加磁场强度的变化改变了二极管中束电子的运动轨迹。当没有外加磁场或外加磁场较小时,低阻抗二极管产生的电子束发生自箍缩,此时二极管电流是自箍缩饱和顺位流;当外加磁场足够强时,电子束的自箍缩被抑制,二极管电流是没有箍缩时的空间电荷限制电流。束电流小于自箍缩临界电流的二极管其阻抗将不随外加磁场的变化而变化。 相似文献
119.
120.
应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时,如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化,则认为 系统发生随机分岔为定义,分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明,广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具,这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展.
关键词:
随机分岔
全局分析
广义胞映射方法
随机吸引子
随机鞍 相似文献