线弹簧模型法在含表面裂纹球壳中的应用

本文应用线弹簧模型法,基于Sih.G.C.含二维裂纹球壳理论建立了含表面裂纹球壳的控制方程,采用数值方法选取位移试函数及合理地处理了对偶奇异积分方程使计算大为简化,通过电算实现了计算求解过程,从而获得了球壳表面裂纹前沿各点的应力强度因子之值。 最后将计算结果与考虑“膨胀效应”后的Ncwoun-Raju 解进行了比较,同时研究了曲率因素对表面裂纹线弹性断裂性态的影响。     

轴对称薄圆环壳方程级数解收敛性的研究

本文研究轴对称薄圆环壳齐次方程级数解的收敛性,证明了每种环壳都有在全域上收敛的级数解。     

旋转壳Tresca屈服条件的解析推导

本文利用解析法,导出了参数形式的旋转壳Tresca 屈服条件,并同时得出了选定正负号的简单准则,使该准则在实际应用中大为方便.     

双层金属锥形扁壳的非线性热稳定性

本文提出有关双层金属锥形扁壳在均匀温度场作用下的非线性稳定性的一般理论.将双层壳体的基本方程简化为与经典壳体理论相似的形式,通过比拟,以作用于锥形扁壳边界上的均匀分布的相当边界力矩来替换温度效应,采用修正迭代法求解.文中给出了临界跳跃力矩曲线.它对于工程上各种仪表弹性元件的设计具有一定的参考价值.     

CVD金刚石中的氮对等离子体刻蚀的影响

采用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体分别对沉积过程中掺氮和未掺氮的化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀研究, 结果表明: 掺氮制备的金刚石膜的刻蚀主要集中在晶棱处, 经过4h刻蚀后其表面粗糙度由刻蚀前的4.761 μm下降至3.701 μm, 刻蚀对金刚石膜的表面粗糙度的影响较小; 而未掺氮制备的金刚石膜的刻蚀表现为晶面的均匀刻蚀, 晶粒坍塌,刻蚀4h后其表面粗糙度由刻蚀前的3.061 μm下降至1.083 μm. 刻蚀导致表面粗糙度显著降低. 上述差别的主要原因在于金刚石膜沉积过程中掺氮导致氮缺陷在金刚石晶棱处富集, 晶棱处电子发射加强, 引导离子向晶棱运动并产生刻蚀, 从而加剧晶棱的刻蚀. 而未掺氮金刚石膜,其缺陷相对较少且分布较均匀 ,刻蚀时整体呈现为 (111) 晶面被均匀刻蚀继而晶粒坍塌的现象. 关键词： 掺氮 金刚石膜 刻蚀 非对称磁镜场     

Zr4Al2高压下热动力学性质的第一性原理研究

本文主要通过平面波赝势密度泛函理论的第一性原理计算方法,采用了广义梯度近似（GGA）交换相关函数,研究了六角结构的Zr4Al2的EOS态方程和热动力学性质。通过采用了声子效应的准谐近似德拜模型,我们成功得到了晶胞体积V随温度以及V/V0、德拜温度Θ、热熔CV 随压强P的变化关系。另外,我们还研究了热膨胀系数α及格林参数γ随温度和压强的变化关系,计算结果表明格林参数和热膨胀系数随温度的升高而增加,但是在较高的温度下,热膨胀系数几乎不受温度的影响。     

AMT对青铜文物缓蚀作用理论研究

：5-氨基-2-巯基-1,3,4-噻二唑（AMT）能和青铜器表面铜离子作用生成一种配位型聚合物的保护膜[AMT –Cu (Ⅰ)]n,并将其中的氯离子置换出来,避免了青铜器的进一步腐蚀。为了深入了解AMT的缓蚀作用机理,本文采用密度泛函理论（DFT）和自然键轨道理论（NBO）,在B3LYP/6-31+G（d, p）水平上对AMT中反应活性位点的确定及活性原子所带电荷和杂化形式作了分析,并利用Multiwfn波函数分析了反应前后前线轨道能的变化。结果表明,-SH基中的S原子能与Cu(Ⅱ)形成有效的共价键,而N6原子可与Cu(Ⅱ)离子形成配位键,促使聚合物膜[AMT-Cu(Ⅰ)]n的形成。并且从概念DFT的活性指数（主要为 , , , , ）比较中发现,AMT-Cu(Ⅰ)-H较AMT的亲电性指数增加,有利于形成高聚物膜,而且反应前后AMT构型中的Ｃ、N、S却始终在同一平面,而C-S和C-N键键长和键角均有不同程度的变化。     

入射角度对高反膜及干涉滤光片的影响

利用周期性多层介质膜的特征矩阵方法,采用MATLAB模拟计算了当入射光波并非垂直入射膜系时,高反膜反射率和法布里-珀罗干涉滤光片透过率的变化。结果表明,随着入射角度的增加,多层介质膜的工作波长向短波方向移动。并利用光程差的原理对这一现象进行了分析。     

经典洛伦兹磁力和广义洛伦兹磁力解释电子感应加速器的本质

介绍了虚构的法拉第定律与电子感应加速器不合理,用完整洛伦兹磁力解释电子感应加速器合理有效。