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61.
张远征 《数学年刊A辑》2006,27(3):365-374
本文利用广义极大原理证明了de Sitter空间中介于两个平行的、同侧的n维伪球面之间的完备常平均曲率类空超曲面一定是伪球面.对于常高阶平均曲率的完备超曲面,当截曲率有下界时,也有相应的唯一性结果.  相似文献   
62.
一类广义Bent型S-Box的构造   总被引:1,自引:0,他引:1  
S-box是密码理论与实践中十分重要的一种装置 ,它的密码性能由其分量函数所决定 .于是 ,选择适当的分量函数来构造 S-box就成了一个重要的研究课题 .在一定意义上 ,Bent函数是最优良的密码函数 .本文通过函数序列半群和置换群来构造其任何非零线性组合为 Bent函数与线性函数之和的函数组 ,从而可由 Bent函数构造出具有高度非线性度和其他良好性状的 S-box  相似文献   
63.
讨论Dx广义正定阵的问题,给出了Dx广义正定阵的一些等价性的刻划,同时还讨论了Dx广义正定阵的若干性质.  相似文献   
64.
通过测量252Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对146Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对146Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.  相似文献   
65.
In this paper,we discuss a large number of sets of global parametric sufficient optimality condi-tions under various gcneralized (η,ρ)-invexity assumptions for a semi-infinite minmax fractional programmingproblem.  相似文献   
66.
本发明的课题在于提供一种进行氮置换的荧光X射线分析装置,容易更换试样室和照射室之间的隔壁膜,在分析时,试样室的空气不流入照射室。第1支架(21)按照其窗(21a)与试样室(3)和照射室(8)之间的壁部(4)的窗(如)重合的方式气密地安装于壁部(4)上,按照覆盖第1支架的窗(21a)的方式设置隔壁膜(9)。第2支架(23)按照其窗(23a)夹持隔壁膜(9),与第1支架的窗(21a)重合的方式设置。  相似文献   
67.
On Polynomial Functions over Finite Commutative Rings   总被引:1,自引:0,他引:1  
Let R be an arbitrary finite commutative local ring. In this paper, we obtain a necessary and sufficient condition for a function over R to be a polynomial function. Before this paper, necessary and sufficient conditions for a function to be a polynomial function over some special finite commutative local rings were obtained.  相似文献   
68.
对一阶拟线性双曲方程组一类广义Riemann问题,该文在一定条件下证明了,包含一个接触间断和一个中心波以及包含一个接触间断和一个激波的间断解的整体存在性和唯一性.  相似文献   
69.
E. Zeidler in [10] mentions that transversality is certainly one of the most important concepts of modern mathematics, which provided an answer to the question: when is the preimage of a manifold a manifold. This is the celebrated transversality theorem, which has been applied widely to differential topology and dynamic system in [1,2] and [3].  相似文献   
70.
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词: Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散  相似文献   
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