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991.
卵形杆弹对铝靶的斜侵彻   总被引:7,自引:0,他引:7  
在Lagrange有限元基础上,扼要介绍了一种适用于三维斜侵彻数值模拟计算的滑移面处理技术。该方法放弃了传统滑移计算中从单元的设置,而代之以预设从节点,从而避免三维斜侵彻数值计算中主从单元的相交、滑移面的识别、修正与再定义的困难。在确保计算精度的同时,有效地提高了计算效率。卵形杆弹对铝靶侵彻的系列数值模拟计算表明,无论对于正撞击或斜撞击,本文中所获结果与实验结果都有良好的一致性,这说明本文中所述方法和所建程序的合理性和有效性,为侵彻贯穿过程的数值分析提供了一种实用和有效的手段。  相似文献   
992.
空间两直线的位置关系可分为两大类:异面、共面;在同一平面内又分为:平行、相交和重合;直线与平面相对位置可分为:平面与直线平行、直线与平面相交、直线在平面上。这里介绍用矩阵的秩来判断两空间直线及直线与平面的位置关系。引理1非齐次线性方程组a11x1+a12x2+…+a1nxn=b1,a21x1+a22x2+…+a2nxn=b2,………………am1x1+am2x2+…+amnxn=bm,有解的充要条件是:系数矩阵A与增广矩阵B的秩RA=RB;且RA=RB=n时有唯一解。引理2设向量βi=(Ai,Bi,Ci)(i=1,2,3),则(β1×β2)·β3=A1B1C1A2B2C2A3B3C3=0三向量共面。定理1设两空间直线L1∶A1…  相似文献   
993.
利用特征根研究二次曲面的切平面问题   总被引:5,自引:2,他引:3  
崔美华 《大学数学》2005,21(4):140-142
利用特征根研究二次曲面的切平面问题,给出了平面为二次曲面的切平面的充要条件.  相似文献   
994.
《发光学报》2005,26(5):F0002-F0002
本刊征集关于无机、有机和生物体系的发光、激光、非线性光学现象及相关的光物理和光化学过程方面的研究论文。具体内容包括:  相似文献   
995.
紫外差光谱测定Gd(Ⅲ), Yb(Ⅲ)与HBED配合物的条件稳定常数   总被引:1,自引:0,他引:1  
在0.01 mol·L-1 N-2-羟乙基哌嗪-N'-2-乙磺酸(Hepes), pH 7.4, 室温条件下, 应用紫外差光谱滴定观察了Gd(Ⅲ), Yb(Ⅲ)与N, N'-二(2-羟苄基)乙二胺-N, N'-二乙酸(HBED)的结合. 结果表明 Gd(Ⅲ), Yb(Ⅲ)与HBED均形成1∶1的配合物, 其紫外差光谱均于237和291 nm处出现吸收峰, 在237 nm处配合物Gd-HBED与Yb-HBED的摩尔吸光系数分别为 ΔεGd=(22.52±0.20)×103 cm-1·mol-1·L, ΔεYb=(27.15±0.11)×103 cm-1·mol-1·L; 配合物Gd-HBED与Yb-HBED的条件稳定常数分别为 lgKGd-HBED=13.56±0.28, lgKYb-HBED=16.06±0.03, 符合线性自由能关系.  相似文献   
996.
CO+分子离子彗尾带系在近红外区域的光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
CO 分子离子是一种重要的瞬态自由基分子,许多研究者对该带系进行了大量的研究。文章采用光外差-磁旋转-速度调制光谱技术测量了12C16O 分子离子彗尾带系(A2Πi-X2Σ )在近红外区域的3个支带(0,3),(1,4)和(3,6)的振转吸收光谱。利用最小二乘法拟合,得到了上态A2Πi(ν′=0,1,3)的精确的分子常数。进一步验证了光外差-磁旋转-速度调制光谱技术在吸收光谱测量中的优越性。  相似文献   
997.
分光光度法测定铋系超导材料中钙   总被引:1,自引:0,他引:1  
在pH=10.6的NH3-NH4Cl缓冲溶液中,钙离子和酸性铬蓝K显色,于498nm波长处以试剂空白作参比,测定该显色液的吸光度。建立了铋系超导前驱粉(Bi2Sr2Ca2Cu3Ox)中直接测定钙含量的方法。试样中大量存在的锶不干扰测定,用柠檬酸溶液作掩蔽剂,消除了铜的干扰。ε=9.0×103L·mol-1·cm-1,Ca在0—50μg·25mL-1范围内吸光度和浓度有良好的线性关系,回归系数r=0.9994。对合成样品进行6次测定,相对误差为-0.93%。对两种实际样品分别进行6次测定,RSD分别为1.63%和1.19%。  相似文献   
998.
根据点到直线的距离即为点到过直线的平面束距离的最大值,将空间点线距离转化为点面距离,然后求其最大值。  相似文献   
999.
宋军  何赛灵 《光学学报》2004,24(1):1-15
对平面波导工艺过程里出现的点缺陷,如气泡、灰尘颗粒等对平面波导内光场造成的散射提供了一种简单而又实用的计算方法。计算基于格林函数方法,并利用矩量法求解积分方程,采用分块矩阵优化算法,使得算法的计算时间直接与点缺陷大小相关,提高了效率。证明了一定大小的点缺陷在特定的波长处会产生很大的散射损耗,证明点缺陷的散射损耗依赖于缺陷大小和光学性质而与其在波导中的位置无直接关系。以二氧化硅平面波导为例,分析了对中心波长1.55μm的入射光场,分别存在气泡和灰尘颗粒两种点缺陷时,散射损耗随点缺陷大小的关系特性,指出工艺过程特别应该避免某些孔径的点缺陷。  相似文献   
1000.
对由导爆索构成的平面装药的爆轰波阵面进行了高速摄影,并将其摄影照片同理论作图做了对比,结果表明此理论作图的方法是正确的。  相似文献   
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