p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

基于扩散势能和自由体积的自扩散系数模型

在考虑自由体积和局部临界扩散势能的基础上,提出一种新的计算自扩散系数模型,并给出新模型中各个因子物理含义．同时还提出一种计算局部临界扩散势能的新方法,并应用于新模型．另外将衍生van der Waals状态方程应用于求解自由体积,式中所需径向分布函数由Morsali-Goharshadi方程得到．在相同条件下,新模型比原自由体积模型更准确．     

有关Kegel猜测的若干结果

Kegel曾经提出如下猜测:若环R可以表示为它的两个局部幂零子环S、T之和,即有R=S+T,问R是否必是局部幂零的?本文证明:若Kegel猜测不真,则必存在一个本原环可以表示为它的两个局部幂零子环之和.另外,还得到两个与Kegel猜测有关的很有趣的结果.     

BEPCⅡ高频发射机和环流器的调整和测试

北京正负电子对撞机升级改造工程(BEPCⅡ)将采用的频率500MHz、输出功率250kW的高频发射机和环流器已安装、调整、测试和验收完毕,这是国内建立的第一套500MHz/250kW发射机系统.本文将详细介绍机器的调测试的原理和各项测量内容及结果, 并比较设计指标和要求,来阐述此发射机的实际技术指标和测试性能.     

天然树脂局部结构的径向分布函数研究

本工作用x射线衍射技术分析计算了二种天然树脂的局部结构参数,由测得的衍射强度数据求出了它们的结构因子I(r)和径向分布函数RDF(r),并由此得到了分子链内临近原子和次临近原子平均间距、配位数和短程有序畴。     

局部紧集上的广义向量均衡问题

利用数值化方法和 Browder 不动点定理,得到一类新的广义向量均衡问题解的存在定理,并用于向量变分不等式、向量相补问题和抽象向量优化问题,得到其解的存在定理.     

采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究

对以MEH－PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管（OLED）器件在最佳条件下进行真空热处理，并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比，最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2．0V，半寿命提高了12．7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体，从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现，另一方面，热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力，提高电子注入水平。     

有限局部环Z/2\+kZ上斜对称矩阵标准形和伪辛群的阶

设R=Z/2\+kZ(k>1)是\{2\}[TX-]为非单位的有限局部环. 该文首先确定了R上斜对称矩阵标准形. 设G\+m\-p(R,H)={P∈GL\-m(R)|PHP′=H}是由矩阵H确定的伪辛群,其中H=[JB((][HL(2]0[]I\+\{(v)\}\=-I\+\{(v)\}[]0[HL)][JB))]Δ，Δ=[JB((][HL(2]\{2\}[TX-]\+\{k-1\}[]\{1\}[TX-]\=-\{1\}[TX-][]0[HL)][JB))]. 其次,计算了伪辛群G\+m\-P(R,H)的阶|G\+m\-P(R,H)|.     

局部对称共形平坦黎曼流形中具有平行平均曲率向量的子流形

本文把[1]的结论推广到了环绕空间是局部对称共形平坦的情形,即获得了:设M~是局部对称共形平坦黎曼流形N~+p(p>1)中具有平行平均曲率向量的紧致子流形,如果则M~位于N~+p的全测地子流形N~+1中。其中S,H分别是M~的第二基本形式长度的平方和M~的平均曲率,T_C、t_c分别是N~+p的Ricci曲率的上、下确界,K是N~+p的数量曲率。