H_2及H~ 对C_xH_(1-x)薄膜表面状态的影响

系统研究了 H2 流量和 H 原位处理 Cx H1-x薄膜的时间对 Cx H1-x薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响 ,表明 Cx H1-x薄膜的长时间 H 原位处理是减小 Cx H1-x薄膜表面悬挂键密度的有效途径。     

胶体金纳米颗粒的荧光光谱特性

研究了胶体金纳米颗粒的荧光激发光谱和荧光发射光谱特性.增大激发光的波长,发射峰相应红移并在629nm达到最强,对应的灵敏激发波长为473nm.增加金纳米颗粒粒径,观察到发射谱的峰值先增大然后减小.发射峰产生的原因在于电子与带间空穴的复合导致非线性共振光散射.发射峰强度和金颗粒粒径的关系可以用表面等离子体震荡引起的局域场增强来解释,数值计算结果和实验结果能较好的吻合.     

耦合共振在材料科学中的应用

通过对材料点、线、面等几类不同缺陷的电子结构和声子激发研究的回顾，特别是对它们的声子激发及其局域振动模式分析，给出了材料缺陷导致的材料局域振动模式的微观图像；分析了多原子分子所具有的高频局域振动态以及采用超声或激光方法激发获得长寿命局域振动的基本原理；提出了一种能够利用耦合共振原理进行材料缺陷局域原子结构非接触调整的方法     

电子波在量子阱势垒上方的局域的束缚：一种法布里—珀罗电子滤波器

最近，电子态在量子阱垒上方的局域和束缚已为实验证实，这是电子的波动性和干波效应的一种直接实验证，试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。     

ReSi1.75电子结构的第一性原理研究

基于第一性原理全势线性缀加平面波方法和局域密度近似(LDA),对ReSi1.75的基态晶格属性进行了研究.结构优化的结果表明,ReSi1.75的基态平衡晶格常数比实验值小约0.6%.在LDA计算基础上,考虑局域的Re的d电子库仑作用,用LDA+U方法计算了ReSi1.75的电子结构,发现当Ueff=U-J=4.4 eV时,能带结构呈半导体性质.具有0.12 ev的间接能隙和0.36 ev的直接能隙.有效质量计算结果表明,ReSi1.75晶体具有强烈的各向异性.Resi1.75的态密度在费米能级附近变化剧烈,通过掺杂改变材料的费米能级位置,有望提高材料的热电性能.     

用LMTO方法对清洁Nb(100)面电子结构的研究

用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。 关键词：     

并行小波滤波器

给出并证明了一种并行滤波器的设计算法．提出和论述了并行小波滤波器的基本设计方案．设计中采用了多种并行处理技术．     

稀磁合金的局域磁矩与热电势

本文基于Anderson s-d混合模型和Falicov s-d库仑互作用模型，利用格林函数方法，得到局域态电子占有平均值的自治方程，定量地分析在给定不同的参数下，局态电子占有数平均值和局域磁矩，研究了稀磁合金的s-d混合效应和s-d库仑互作用效应对热电势的影响。