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1.
杨洪伟  李爽 《力学与实践》2021,43(2):268-272
结合具有航天任务背景的轨道设计问题,开展问题导向式教学,激发学生主动学习热情,让学生在动手实践中学习基于轨道力学理论知识的轨道设计方法,是培养学生轨道设计能力的有效途径.本文介绍了对轨道力学问题导向式教学的措施,以及逐步培养学生轨道设计能力的轨道设计问题案例.选取的轨道设计问题与教学过程中的理论知识紧密联系,循序渐进,...  相似文献   
2.
严淑芳 《数学之友》2022,(3):37-38+41
尺规作图和“定弦定角”问题是近几年一些地区的中考热点题型,对于这样的问题,学生往往想不到用圆来解决,因此必须追本溯“圆”.基于此,本文还原了此次省级公开课的真实情境,本节课从特殊到一般,利用尺规作图探究“定弦定角”,运用数学的思维方式思考,增强发现问题和提出问题的能力、分析和解决问题的能力,提高学生的数学素养.  相似文献   
3.
针对旋转导向钻井工具姿态测量系统陀螺仪故障问题,提出一种陀螺仪加性故障估计与处理方法.首先将陀螺仪故障增广为状态变量,融合加速度计测量信息建立非线性测量模型;然后针对由于模型线性化、陀螺仪漂移、钻井过程的高温、高压、强振动等因素导致卡尔曼滤波算法估计精度变差的问题,将测量误差等效为幅值有界但分布未知的误差,提出了一种自...  相似文献   
4.
作为一类结晶孔材料,沸石分子筛因其规则的孔道结构和独特的择形性在催化、吸附、分离和离子交换等领域有着重要的应用.但传统的沸石分子筛材料由于孔道尺寸较小,对有机大分子的处理能力不强,超大孔沸石分子筛的出现缓解了这一状况.因此,深入了解超大孔分子筛的合成方法、制备过程、结构组成和理化性质对化学工业具有重要的意义.本文以孔道维度作为分类依据,系统地阐述了30年来超大孔沸石分子筛的合成、结构及应用,提出了现阶段其发展存在的问题,并对其发展前景进行了展望.  相似文献   
5.
设计了一套基于激光准直技术的顶管机自动导向水平角测量系统。系统具有两套光靶激光测量装置。利用具有漫反射特性的标靶接收准直激光,标靶图像经CCD相机采集后处理得到标靶上的光点位置,根据光点位置的变化可计算得出顶管机机头偏转的角度信息。研究了图像处理算法和角度计算算法,并搭建了实验测试系统。实验结果表明,在100m的测量距离内,系统水平角测量范围可达到±1°,测量精度为0.01°,可以满足顶管机地下施工水平方位角的测量要求。  相似文献   
6.
采用不同材质的刻槽绝缘平行板,包括高纯度石英玻璃、聚四氟乙烯(Teflon)、酚醛树脂(电木)和聚甲醛板(赛钢板),并在15 pA/mm2 ~14.3 nA/mm2范围内改变入射流强,利用1 500 eV电子束入射上述绝缘平行板,实验研究了上述平行板对电子束的导向行为。实验发现,上述电子束通过上述平行板时存在明显的导向现象,其导向行为与束流流强和绝缘材质无关。据此,可排除绝缘平行板内表面沉积电荷自组织充放电过程中,以绝缘材料的面电阻和体电阻对地泄放的线性形式放电过程。Adopting several grooved parallel plates made by different insulators, such as high-purity fused quartz, Teflon, Bakelite and POM (Polyformaldehyde), and further adjusting the electron beam current in a wide range (tens of pA~tens of nA), the discharging mechanism in the self-organizing charge and discharge processes of electron guiding was investigated and discussed by using 1 500 eV incident electron beam. The present results show that, the electron guiding behaviors are obviously existing when such electron beam is transmitted through the above grooved insulating parallel plates, which are independent on beam current and insulators. Our results suggest that, the possibilities of the accumulated charges on inner-surface of grooved parallel plates linearly discharging through surface and bulk resistances of plates into the ground should be excluded.  相似文献   
7.
Let D(U, V, W) be an oriented 3-partite graph with |U|=p, |V|=q and |W|= r. For any vertex x in D(U, V, W), let d x and d-x be the outdegree and indegree of x respectively. Define aui (or simply ai) = q r d ui - d-ui, bvj(or simply bj) = p r d vj - d-vj and Cwk (or simply ck) = p q d wk - d-wk as the scores of ui in U, vj in V and wk in Wrespectively. The set A of distinct scores of the vertices of D(U, V, W) is called its score set. In this paper, we prove that if a1 is a non-negative integer, ai(2≤i≤n - 1) are even positive integers and an is any positive integer, then for n≥3, there exists an oriented 3-partite graph with the score set A = {a1,2∑i=1 ai,…,n∑i=1 ai}, except when A = {0,2,3}. Some more results for score sets in oriented 3-partite graphs are obtained.  相似文献   
8.
The effects of self-fields on electron trajectories and gain in planar wiggler free-electron lasers with two-stream and ion-channel guiding are investigated. An analysis of the two-stream quasi-steady-state electron trajectories is given by solving the equation of motion in the presence of ion-channel guiding and the planar wiggler. The electron trajectories and the gain are derived. The stability of the trajectories, the characteristics of the linear gain, and the normalized maximum gain are studied numerically. The numerical calculations show that there are eight group trajectories rather than the two groups reported in the absence of the self-fields. It is also shown that the normalized gain group seven (G7) decreases while the rest increases with the increase in normalized ion-channel frequency. The two-stream instability and the self-field lead to a decrease in the maximum gain, except for G7.  相似文献   
9.
黄达  吴俊杰  唐玉华 《中国物理 B》2013,22(3):38401-038401
With the progress of the semiconductor industry,the resistive random-access memory(RAM) has drawn increasing attention.The discovery of the memristor has brought much attention to this study.Research has focused on the resistive switching characteristics of different materials and the analysis of resistive switching mechanisms.We discuss the resistive switching mechanisms of different materials in this paper and analyze the differences of those mechanisms from the view point of circuitry to establish their respective circuit models.Finally,simulations are presented.We give the prospect of using different materials in resistive RAM on account of their resistive switching mechanisms,which are applied to explain their resistive switchings.  相似文献   
10.
120℃时膨润土、高岭土分别用水玻璃固化,固化物晶形仍以蒙脱石、高岭石结构为主,且蒙脱石可包含更多的水玻璃成分,其固化机理为水玻璃加强了这些硅酸盐的层间作用力,讨论了新型夹层物质形成的可能。  相似文献   
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