c＝3，N＝2超共形场论的Z2 0rbifold—Prime模型

讨论了二维环面上中心荷c＝3，N＝2的超共形场论。特别给出该理论的配分函数，进一步，为了产生新的模型，回顾了一般的orbifold方法，然后构造了模不变的Z2 0rbifold—Prime模型。     

Brick Walls for Nonstationary Black Holes

The validity condition of the brick-wall model is analysed in nonstationary space-time.It is shown that the model holds only in thin regions,only by using tortoise coordinates near the event horizon of a slowly varying(quasistationary)black hole.The reason for the use of tortoise cooridnates is that the stationary state solutions of quantum field equations in other coordinates do not exist for any region in nonstationary space-time.Meanwhile,the quantum corrections to the entropy of the Vaidya-Bonner black hole due to the spin fields are calculated in terms of the brick-wall model.     

掺铒光纤放大器中上转换过程的影响

掺杂浓度的提高影响了掺铒光纤放大器(EDFA)的性能,对经典Giles模型提出了新的要求。首先研究了高掺杂下铒离子距离较小引起的上转换过程的机理,通过优化速率方程模型分析了上转换过程对EDFA的影响,得出了在泵浦光和信号光远远大于ASE光的假设下泵浦光和信号光沿光纤长度变化的近似表达式,并将该近似分析解与解析解进行了比较。仿真结果表明上转换过程会降低随光纤传输的信号光和泵浦光,影响EDFA的放大性能,并得出了当掺铒浓度大于2.95×1025m-3时,上转换过程的影响不能忽略的结论。     

键座渗流与稀磁体系的相变

本文首先将键渗流和座渗流中的普适关系加以推广,建立了键座渗流的相界关系;接着研究了稀磁体系的相变问题,应用Potts模型,推出稀磁体系的铁磁-顺磁和反铁磁-顺磁相交的相界关系。与已往文献中处理这类问题所采用的级数法、有限集团近似、数值模拟和重整化群等方法相比,本文所给出的解析式具有使用方便、简单、物理概念清晰,且较为精确等优点.     

高浓度多链体系链动力学的Monte Carlo模拟——键长涨落模型和空穴扩散算法

本文在Larson的“键长涨落模型”的基础上提出了模拟高浓度多链体系的新算法。本算法具有如下特征:(1)除通常的微松弛模式外,还直接引入了链的Reptation运动;(2)提出了空穴扩散算法使体系随时间演化。由于本算法的这些新特征,克服了前人的算法不能运用于两维体系以及高浓度多链体系的缺点,同时也大大缩短了计算耗时。应用本文的算法,在44×44的元胞中模拟了链长为21,浓度为0.9545的体系的动力学行为。所得结果与Rouse理论的预言相符合。     

部分相干光束通过硬边光阑的推广光束传输M2因子

给出部分相干光通过硬边光阑后的强度二阶矩的计算公式，由此可得到部分相干光通过硬边光阑后的推广光束传输M^2因子。以部分相干高斯－谢尔模型光束为例，推导出相应的M^2因子，并作了数值计算和分析讨论。     

线性σ-模型和在J/ψ→γpp的pp质量谱中观测到的增强现象

假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.     

F-L模型的状态方程与退禁闭相变图象

用温度场论方法计算了F-L模型在有限温度和密度下的状态方程,分析了压强对净重子数密度的等温线.结果表明,在平均场近似下,F-L模型所给出的退禁闭相变为一级相变.     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.