全文获取类型
收费全文 | 1009篇 |
免费 | 369篇 |
国内免费 | 93篇 |
专业分类
化学 | 77篇 |
晶体学 | 34篇 |
力学 | 403篇 |
综合类 | 18篇 |
数学 | 225篇 |
物理学 | 714篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 53篇 |
2022年 | 49篇 |
2021年 | 53篇 |
2020年 | 45篇 |
2019年 | 50篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 36篇 |
2016年 | 34篇 |
2015年 | 43篇 |
2014年 | 87篇 |
2013年 | 73篇 |
2012年 | 99篇 |
2011年 | 110篇 |
2010年 | 89篇 |
2009年 | 83篇 |
2008年 | 69篇 |
2007年 | 57篇 |
2006年 | 71篇 |
2005年 | 70篇 |
2004年 | 62篇 |
2003年 | 37篇 |
2002年 | 24篇 |
2001年 | 17篇 |
2000年 | 20篇 |
1999年 | 12篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 10篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 8篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 8篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有1471条查询结果,搜索用时 93 毫秒
991.
用密度泛函理论在B3LYP/6-31 G**水平上对1,2,3-三氮杂苯和水形成1:1、1:2和1:3复合物的基态氡键结构进行几何优化和性质计算.计算结果表明,复合物之间存在较强的氢键作用.所有稳定复合物结构中形成一个N…H-O氢键并终止于O…H-C氢键的氢键水链构型最稳定.氢键的形成是水分子中H-O键振动频率减小(红移).NBO分析表明,最稳定的1:1、1:2和1:3复合物发生分子间电荷转移总量分别为0.0222e、0.0261e和0.0273e.同时,用含时密度泛函理论方法在TD-B3LYP/6-31 G**水平计算了1,2,3-三氮杂苯单体及其氢键复合物的第一1(n,π*)激发态的垂直激发能. 相似文献
992.
993.
用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-311 g(d,p)水平上对Al2Hx(x=1~3)分子团簇的几何构型、电子结构、振动频率、垂直电离能和垂直电子亲和能等性质进行了理论研究.通过对基态结构的几何参数分析发现,它们的基态结构趋于对称性较高的构型.它们的基态结构为:Al2H(2A1)C2V,Al2H2(1Ag)D2h和Al2H3(2A′1)D3h.对基态结构的垂直电离能讨论表明,氢原子数从1增加到3,其气态分子越来越稳定. 相似文献
994.
令F是一个代数闭域,→Δ是An型quiver,本文利用垂直范畴证明了F→Δ上例外序列的自同态代数是有限多个Am(mn)型倾斜代数的直和,从而An型例外序列的自同态代数是有限表示型的. 相似文献
995.
996.
997.
半经典闭合轨道理论已经成功地计算了在外加磁场和平行电磁场中的里德堡原子的回归谱.但对于垂直电磁场中的里德堡原子,理论和计算都变得更为复杂.本文把闭合轨道理论推广到三维情况,采用 B.Hüpper的模型势计算了ε=-0.03,主量子数n≈ 40,m=0下He原子在垂直电磁场中的光吸收谱和回归谱,并和H原子在垂直电磁场中的回归谱作比较,突出了实散射的贡献.计算中应用了离子实散射的分区自洽迭代方法,并考虑到轨道的多次重复和离子实的多次散射效应.这是对闭合轨道理论的验证和进一步推广. 相似文献
998.
Low-Threshold and High-Power Oxide-Confined 850 nm AlInGaAs Strained Quantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Intra-Cavity Contacted Structure
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The low-threshold and high-power oxide-confined 850 nm AlInGaAs strained quantum-well (QW) vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) based on the intra-cavity contacted structure are fabricated. The threshold current of 0.1 mA for a 10-μm oxide-aperture device is obtained with the threshold current density of 0.127kA/cm^2. For a 22-μm oxide-aperture device, the peak optical output power reaches to 14.6mW at the current injection of 25 mA under the room temperature and pulsed operation with a threshold current of 2mA, which corresponds to the threshold current density of 0.526kA/cm^2. The lasing wavelength is 855.4nm. The full wave at half maximum is 2.2 nm. The analysis of the characteristics and the fabrication of VCSELs are also described. 相似文献
999.
1000.