三阶极化率测量方法的比较研究

本文对三阶非线性极化率的多种测量方法进行了比较研究，分析了每种方法的优缺点，对于实际情况下各类光学材料非线性性质的测量具有一定的指导意义。     

用1-3及2-2连通复合换能器测量冻土

根据冻土弹性波测试要求，研制了一种测试冻土用的500kHz纵波，横波1-3及2-2连通复合超声换能器，其灵敏度高，频带宽，声阻抗低，波形简单及脉冲波形前沿徒削，亦适用于其它介质力学特性测试。文章介绍了换能结构原理及测量系统特性，实测了不同含水量（7%-25%）及负温（-2℃--20℃）条件下兰州黄土试块的纵，横波声速，获得很高测量精度（10ps级）。     

K_s~0重建及其寿命测量在BESⅡ上的研究

在BESⅡ上利用Bhabha,dimu事例确定了BEPC束流对撞中心位置,并以此为初级顶点研究了次级顶点的重建,改进了原有次级顶点重建程序,在此基础上选择 事例,测量了Ks0的寿命,并利用50MJ/ψ数据测量了Ks0的单举质量谱,最后还利用MC研究了Ks0质量的1C拟合.     

Libera BPM在BEPCⅡ调束中的应用

软件无线电技术的发展,不仅带来了现代通信领域的技术革命,同样在加速器束测领域中也带来了技术的革新.基于软件无线电技术和数字接收机架构的数字BPM首先在瑞士光源得到了成功的应用,斯洛文尼亚的Instrumentation Tchnologies公司把该项技术进行了市场化并进行了不断改进,形成了现在的Libera系列产品.它集模拟信号采集、模数转换、数字信号处理以及外同步于一体,是一个真正all-in-one的宽带测量系统.它可以完成束流位置的First Turn、Turn by Turn和COD等测量工作.在BEPCⅡ的初期调束中,在电子环和正电子环的束流闭环、储存和积累、故障查处以及同步环的注入残余振荡测量方面,Libera BPM发挥了出色的作用,加快了调束进程.     

具有特殊工件的平行机在线排序问题

本文研究一类具有特殊工件的平行机在线排序问题,目标是最小化最大完工时间.此模型有两种工件:正常工件和特殊工件.正常工件能够在m台平行机的任何一台机器上加工,而特殊工件仅能够在它唯一被指定的机器上加工.文中所有特殊工件的指定机器为M1.我们提供了竞争比为(2m2-2m 1)/(m2-m 1)的在线近似算法.当m=2时,算法是最好可能的.当m=3时,算法的竞争比为13/7≈1.857,并且提供了竞争比的下界(1 (平方根33))14≈1.686.     

多点流场压力实时测量系统的设计和实现

多点流场压力实时测量系统的研制是为了测量某设备内部的各种液体或气体等参数的流动情况，实时地监测设备内部的流动参数的变化情况，准确得到压力测量值，并对所测的压力分布数据进行分析、判断，找出流场参数对设备性能的影响。     

一种测量人体静电电量的实验方法

介绍了采用法拉第圆筒法测量人体（及着装）电量的原理、装置、方法及适用条件，所介绍的方法，过程简单、方便、可用于表演、普物实验及科研。     

超声脉冲背向散射法测量悬浊液浓度的研究

本文报导了在不同浓度和不同粒径的水泥浆悬浊液中超声脉冲背向散射讯号的数字特征，主要是幅域和频域特征。对于不同的浓度范围，可以取不同的背向散射讯号特征量（如散射声强或散射衰减）来表征悬浊液的浓度和粒径，对于低浓度范围，相对散射声强与浓度有较好的线性关系，对于高浓度范围，声强的散射衰减与浓度有较好的线性关系，高浓度与低浓度之间存在着过渡区域，在此区域内，散射声强随浓度的增加与散射衰减随浓度的增加呈动态平衡，因而在过渡区域内散射声强将与浓度无关，并与频率或粒径有关，当频率一定时，可确定粒径分布。     

Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.