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101.
给出了低阻抗二极管产生的电子束能谱分布及外加磁场对二极管阻抗影响的数值模拟研究结果。结果表明,即使在外加电压恒定的条件下,二极管产生的电子束也具有一定的能谱分布,这说明用二极管电压、电流波形计算脉冲电子束能谱分布是不正确的。另外,外加磁场对低阻抗二极管的阻抗特性具有较大影响,其阻抗随外加磁场的增大而减小。分析认为这是由于外加磁场强度的变化改变了二极管中束电子的运动轨迹。当没有外加磁场或外加磁场较小时,低阻抗二极管产生的电子束发生自箍缩,此时二极管电流是自箍缩饱和顺位流;当外加磁场足够强时,电子束的自箍缩被抑制,二极管电流是没有箍缩时的空间电荷限制电流。束电流小于自箍缩临界电流的二极管其阻抗将不随外加磁场的变化而变化。 相似文献
102.
103.
Generation of Ultrashort Light Bullets in Dispersive Kerr Media Using the Fourth—Order Dispersion—Dependent Spatiotemporal Instability
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A new method for generation of a train of ultrashort pulses or a sequence of ultrashort light bullets is proposed. This method is based on the fourth-order dispersion-dependent spatiotemporal instability in dispersive Kerr media. The repetition-rate of the generated bullets can be made quite large by increasing the corresponding spatial modulation frequency locating in the new instability region resulted from fourth-order dispersion. 相似文献
104.
采用显微Raman光谱方法对红外目标模拟器中重掺杂Si微电阻桥单元的热传导特性进行研究,根据Si桥的实际特性建立相应的Raman散射模型,通过测量Raman峰位的移动得到高功率激光辐照下测量点的温度.对Si桥桥面分别进行了沿某些特殊线段的逐点线扫描和覆盖全部桥面的面扫描,得到各点的温升及其分布.用基于有限元分析的软件结合Si桥结构参数对各测量点的温升进行了模拟计算,其结果在热导分布的基本趋势上与实验相一致.实验细致地揭示了热导分布的局域起伏,反映出实际器件的不均匀性,为改进器件设计、优化器件性能提供了实验依据.
关键词:
Raman光谱
Si桥
温度分布
热导 相似文献
105.
106.
《中国物理快报》2003,20(10):1871-1874
107.
由“从正则分布出发,在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同,但分别由二求得的高次矩并不完全相同。 相似文献
108.
方德清 Yamaguchi T. 郑涛 Ozawa A. Chiba M. Kanungo R. Kato T. Morimoto K. Ohnishi T. Suda T. Yamaguchi Y. Yoshida A. Yoshida K. Tanihata I.< 《中国物理 C》2004,28(Z1)
实验测量了83A MeV 14,15C的核反应总截面(σR)及15C产生14,15C和14C产生13C的动量分布(P//). 分析得到了15C产生14C和13C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而14C产生13C的FWHM为195±21MeV/c. 从15C和14C产生13C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而15C产生14C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到15C的σR比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P//和σR进行了探讨. P//和σR的分析结果同时显示15C的最后一个中主要处于s1/2态, 具有中子晕结构. 相似文献
109.
对数似然比与整值随机变量序列的一类强律 总被引:2,自引:0,他引:2
本文引进对数似然比作为整值随机变量序列相对于服从几何分布的独立随机变量序列的偏差的一种度量,并通过限制对数似然比给出了样本空间的一个子集.在此子集上得到了一类用不等式表示的强律,其中包含整值随机变量序列与相对熵密度及几何分布的熵函数有关的若干极限性质. 相似文献
110.