基于Schrdinger方程的耦合常数解析延拓方法

基于Schrdinger方程,利用耦合常数解析延拓方法研究了球对称的方势阱、Woods-Saxon势和谐振子势中的单粒子共振态的能量与宽度.分析了耦合常数的取值区间和Pade多项式阶数对计算结果的影响.结果发现,在适当的耦合常数取值范围内,随着Pade多项式阶数的增加可以得到稳定和收剑的单粒子共振态能量与宽度.     

新可调谐超短脉冲OPA OPerA-TOPAS-White

Coherent（相干）公司（www．coherent．com．cn）推出新的非共线光参量放大器（NOPA）OPerA^TMTM-TOPAS-White，可以从紫外到近红外连续调谐．即使采用脉冲宽度超过100fs的钛宝石超快放大器泵浦，非共线设计使OPerA-TOPAS-White仍然能够输出25fs以下的超短激光脉冲．相比之下，采用传统OPA获得超短脉冲需要更复杂而且更昂贵的超短卖出放大器系统泵浦．     

函数类K∞^r在Orlicz空间内的n宽度

讨论了由非退化的全正核K(x,y)和具有特定性质的函数系{ki(x)}i=1^r所确定的某一函数类K∞^r在Orlicz空间内的n-K宽度，n-G宽度，n-L宽度的精确估计问题。     

强双折射光纤中暗孤子的传输特性研究

从光纤双折射参量、背景光宽度、孤子脉冲宽度三方面探讨暗孤子在双折射光纤中远距离传输特性研究表明:相对于亮孤子,暗孤子对光纤双折射的自适应能力较弱;背景光宽度越大,暗脉冲与背景光对比度越好,暗孤子越能保持原来黑孤子状态;暗孤子脉冲宽度越大,偏振脉冲之间的差分群时延越大,诱导的灰孤子震荡结构越明显,越不利于暗孤子远距离传输.     

一种新型激光参数综合测试仪

最近，北京测量与通信总体技术研究所设计并研制了一种激光参数综合测试仪。该测试仪主要由激光发射参数测试分系统、激光接收参数测试分系统、数据处理分系统及其辅助设备组成。激光发射参数测试分系统主要完成脉冲能量、输出功率、功率稳定性、脉冲宽度、工作重频、脉冲编码、激光发散角等参数的测试，包括激光功率能量计、数字存贮示波器、光斑测试仪等。激光接收参数测试分系统主要用于激光接收机灵敏度与动态范围等参数的测量。由激光光源、可变激光衰减器、激光功率能量计等组成。     

混合卟啉体系中的光化学烧孔

在有机电子转移型烧孔体系中,混杂两种电子给体-苯并卟啉锌衍生物分子,可增加吸收带的非均匀宽度。本文通过对光谱孔的宽度和烧孔效率的讨论,证明了混杂电子给体的方法对孔宽和烧孔效率无明显影响,可以达到增加此类材料体系的烧孔数目,提高信息存储密度的目的。     

Absence of Charge-Resonance-Enhanced Ionization in Attosecond Pulse Photoionization： Numerical Result on One-Dimensional H2^＋

We present a numerical result of photoionization rate for the one-dimensional molecular hydrogen ion model exposed to intense light of 1 × 10^16-2×10^16 W/cm^2, 55-as pulse duration, and 800nm wavelength. In contrast to the previous calculation result of charge-resonance-enhanced ionization for lower intensity and much longer pulse, our result exhibits an ionization saturation. The numerical results are interpreted in the field-dressed potential picture as over-the-barrier liberation of electrons. This extremely short pulsewidth and relatively high field phenomenon requests experimental demonstration.     

具有混合光滑性的Holder-Nikolskii-Wiener类在Lq(Rd)中的平均宽度（英文）

本文研究了具有混合光滑性的Holder-Nikolskii-Wiener类SrpqH在Lq(Rd)中的平均σ-K宽度(2≤q≤p<∞),得到了该量的弱渐近估计.     

InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究

采用常压金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术、光透射谱、光致发光光谱对InxGa1-xN／GaN／AI2O3样品进行了测试。研究了InxGa1-xN薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动。结果表明，采用光透射谱、光致发光光谱得到的InxGa1-xN薄膜的禁带宽度一致，InxGa1-xN薄膜并不存在斯托克斯移动。InxGa1-xN薄膜的In组分分别为0．04，0．06，0．24，0．26时，其弯曲因子分别为3．40,2．36，1．82，3．70。随In组分变化。InxGa1-xN薄膜的弯曲因子的变化并没有一定的规律，表明InxGa1-xN薄膜的禁带宽度随In组分的变化关系复杂。     

不可分辨跃迁阵模型下类镍金离子M带谱的理论计算

 用不可分辨跃迁阵模型(UTA model)计算类镍金(Au ⁵¹⁺)谱中8个跃迁阵的特征参数: 平均波数(kav)、半宽度(FWHM)、总强度(W)和谱线数(L)。利用高斯分布线型,根据各个阵的总强度进行叠加,得到了在总体上与实验相一致的结果,使得在实验中对金M带谱进行时间或空间的高分辨率测量成为可能。