Bs Semileptonic Decays to Ds and D^＊8 in Bethe-Salpeter Method

Using the relativistic Bethe-Salpeter method, the electron energy spectrum and the semileptonic decay widths of B^0 → Ds^- e＋ve and B^0 → Ds^＊-e＋ve are calculated. We obtain a large branching fraction Br（Bs → Dseve） = （2.85 ± 0.35）% and Br（Bs→ D^＊s eue） = （7.09 ±0.88）%, which can be easily detected in future experiments.     

用等值宽度法测量fs脉冲宽度

本文提出利用等值宽度测量fs光脉冲持续时间的方法.给出了脉冲形状为sech~2 (t/T)、exp(-2t~2/T~2)和exp(-2|t|/T)的干涉相关曲线上包络与相应二阶强度相关曲线半宽度等值的位置,它们分别是3.984、4.875和4.928.定义了两种相关测量的临界延迟速度.理论分析与实验结果符合得很好.所得结果表明,该测量方法可将常规超短脉冲相关测量的时间分辨率提高几倍至几十倍.     

非线性增益和波导结构对半导体激光器的谱线宽度的作用

本文采用半经典理论研究了非线性增益和波导结构对量子相位噪声引起的模式谱线增宽过程的作用,得出谱线宽度不但与线性增益而且与三阶增益有关,并且都受到波导结构的制书。从而提出新的谱线增宽因子和与功率无关的线宽的新机制。 关键词：     

由自共轭线性微分算子所确定的函数类在Lq(T)中的相对宽度

得到了使等式Kn(K2(Pr),MK2(Pr),L2(T))=dn(K2(Pr),L2(T))成立的最小M值,并计算了Kn(K2(Pr),K2(Pr),Lq(T))的渐近阶,其中Kn(.,.,Lq(T))和dn(.,Lq(T)),1≤q≤∞,分别代表Kolmogorov意义下在Lq(T)中的相对宽度和宽度,K2(Pr)表示定义在[-π,π]上由自共轭线性微分算子所确定的光滑函数类.     

利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.     

K-原子能移和宽度的唯象分析

尝试用Woods-Saxon形式的光学势来分析K原子，通过拟合一系列K原子数据，得到了一套最佳光学势参数. 把得到的这套光学势和前人的其它几种光学势在接近核表面处作了比较，发现他们彼此符合得很好. 另外，与核子-核势相比较，对于虚部势，K-核的Woods-Saxon势与核子-核的很相似，但是对于实部，K-核势要更深更窄一些.     

聚焦部分相干涡旋光束作用于不同折射率瑞利粒子上的辐射力

 使用聚焦部分相干高斯谢尔涡旋光束,对不同折射率的瑞利粒子的辐射力做了分析,着重研究了相关长度和束腰宽度对辐射力和俘获稳定性的影响。结果表明：相关长度和束腰宽度分别存在临界值,相干长度小于等于其临界值或束腰宽度大于等于其临界值时,可利用其俘获相对折射率大于1的微粒;而在相关长度大于其临界值或束腰宽度小于其临界值时,可利用其俘获相对折射率小于1的微粒。对俘获稳定性的分析表明,需选择适当的相关长度和束腰宽度才能稳定俘获瑞利粒子。     

用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据,根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律,计算出禁带宽度,并且着重讨论禁带宽度的两种求法,比较了两种方法的计算精度.     

基于分形编码的天体光谱降噪方法

为了降低噪声影响,恢复光谱的连续谱和谱线等主要特征,以便准确测量谱线的等值宽度,文章根据天体光谱自身具有局部自相似性,而随机白噪声不具有自相似性,首次将分形方法应用于天体光谱降噪.实验表明,分形降噪方法对于准确测量谱线的等值宽度、星系红移等参数是有效的,此外,还可以实现数据压缩.分形方法适用于海量光谱的降噪和数据存储.