超导芯片铟焊质量试验研究

为考察超导芯片接地钎焊质量,参照电子元器件试验方法相关国家标准,模拟超导器件工作温度和真空环境制作了试验装置,对钎焊后的超导芯片样品进行了温度冲击试验、完整超导器件系列环境试验,并对试验数据和结果进行了分析。     

叶片弯、掠对压气机端壁流动的影响

通过壁面静压测量、流场显示及气动探针测量研究了不同掠型叶片组成的平面扩压叶栅特性。结果表明,前掠 叶栅流道中横向压力梯度减弱,型面压力沿叶展呈反“C”型,有利于减弱角区低能流体堆积,但中径处损失有所增加; 弯掠叶片强化了上述趋势,其降低端部损失和延缓角区分离的能力更强,应从优化设计角度对其进行深入研究。     

污垢热阻恒定应力加速寿命试验研究

为缩短渐近污垢试验时间,本文定义了污垢寿命,利用恒定应力加速寿命试验(简称恒加试验),基于定数截尾 指数寿命统计分析方法,求得加速系数a, b近似最小二乘估计,然后由加速模型求得在正常应力水平下的平均寿命估 计。实例计算结果表明,对渐近型污垢热阻进行加速试验是可信的,也是可行的。这对污垢试验研究具有重要价值。     

关于185Pt核多带结构的回弯机制

最近报道的¹⁸⁵Pt核多带结构的实验结果,又一次提出了其中五条带回弯现象究竟是由于h_9/2质子对转动排列所致,还是来自于i_13/2中子对转动排列结果的尖锐问题.基于阻塞效应的实验事实支持前者,而总罗斯量(转动坐标系中的总能量)而的理论计算则支持后者,本文在分析上述两种解释的前提条件的基础上,给出考虑了带交叉过程动力学效应的理论计算结果.说明了h_9/2质子对转动排列应是这五条带出现回弯的根源.     

突破间接带局限创新Si基激光器

Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义．由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径．新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge／Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2：RE MOS结构中实现．运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献．     

振动钻削微小孔中钻头寿命与振动参数的二次回归试验研究

本文采用正交组合设计的试验方法，对振动钻削微小孔加工中钻头寿命与轴向振动参数之间的非线性关系进行了二次回归试验，得到了最优回归方程。用回归方程给出的最佳振动参数钻孔，钻头寿命提高了９６．３％     

均匀设计抽样及其优良性质

抽样和设计是计算机试验的一个重要研究课题。本文提出了一种新的抽样方法—均匀设计抽样,研究了它的一些基本性质,并将其应用于数值积分近似计算,这种抽样是王元和方开泰(1981)均匀设计思想的一个发展,也是对Latin Hypercube抽样的一个重要改进,通过与Monte Carlo方法,Latin Hypercube抽样(包括OA-Based Latin Hypercube抽样)和均匀设计的比较,表明了这种抽样的优越性,最后还讨论了在一般分布情形下如何应用这种抽样。     

维修性验证中组合序贯试验方案的确定

本文给出了分布未知时两个百分位要求的组合序贯试验方案。     

序进应力加速寿命试验的Bayes推断

本文将根据序进应力加速寿命试验的数据，利用Ｂａｙｅｓ方法，探讨对有关参数，和剩余寿命分布的统计推断。     

带有不完全信息随机截尾试验下Weibull分布参数的MLE

本文在文献（１）￣（３）的基础上坦步研究了带有不完全信息的随机截尾试验模型。讨论了Ｗｅｉｂｕｌｌ寿命分布参数的统计分析，给出了似然方程组即参数的极大似然估计的存在唯一性定理。文末给出了随机模拟数值解，结果表明，参数的ＭＬＥ与其真值很接近。