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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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本文改进实验方法,在0.0001—1.23GPa流体静高压下测量了整片非晶锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3(x=0.05;0.15)及其粉末压片的离子电导率及激活体积。发现粉末压片电导率峰值是由非晶微粒间的接触电导及非晶微粒体电导两者叠加;对整片非晶电导率的压力效应用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。此外,还观测到氧化铝组分减少使电导率的压力转变点明显降低;测量出不同温度热处理以及300℃等温热处理4—20h后离子电导率-压力曲线的变化规律,仍可归因于非晶态相分离及两种非晶相的先后晶化。
关键词: 相似文献
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2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统,其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲,激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中,4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间,即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通,使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲,从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构,即一根Blumlein线驱动两个感应腔,因此最多可以实现四脉冲串列。 相似文献
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乐毅 《宁波大学学报(理工版)》2004,17(4):437-440
从正交各向异性三维弹性动力学的控制方程出发,在求得四边简支矩形板自由振动频率和位移振型的基础上,构造了受迫振动的位移函数;利用自由振动位移振型的正交性,将控制方程的空间变量和时间变量分离,得到了广义质量、广义力和频率表示的关于时间的2阶常微分方程,从而得到了正交各向异性弹性矩形板在受迫振动下的位移场和应力场.给出了本文方法与薄板理论的算例. 相似文献