关于均值KIRCHHOFF板非线性边界镇定问题的几点注记

对于均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题给出几点注记.首先应用G reen公式对具有非线性边界反馈控制的均值K IRCHHOFF板所决定的非线性系统的能量衰减速度进行了重新推导,从而修正了前人的结果.然后应用极大单调函数的定义和分部积分技巧,对均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题所决定的非线性算子A的极大单调性给出了重新证明,进而更正了已有文献中相应证明的欠妥之处.     

圆柱型正交各向异性圆形薄板的非线性非对称弯曲问题（Ⅱ）

本文利用“正则摄动法”［２］研究文献［１］中由“两变量法”［３］所得到的关于Ｗｎｍ，和的递推方程和递推边界条件的求解问题。求得了本问题的一致有效渐近解，最后作为实例，我们利用“混合摄动法”［４］研究了轴对称线性弯曲问题，并将所得结果与文献［５］中给出的精确解相比较，两者基本上是一致的。     

SPS法研究ZnTPP对TiO_2的光谱敏化

本文利用表面光电压谱(Surface Photovohage spectroscopy,简称SPS)研究了ZnTPP对TiO_2粉末的光谱敏化,发现用ZnTPP修饰后的TiO_2(金红石和锐钛矿)粉末在可见区420、550和590nm附近有三个光伏响应带,它们分别对应于ZnTPP的Soret、Q(1,0)和Q(0,0)带。经过严格的实验和分析,证明这三个带是由ZnTPP对TiO_2的敏化光电压引起的,而不是ZnTPP自身的光伏响应。在敏化效果上,亚稳的锐钛矿优于金红石。同时,我们对这种光敏表面的光诱导电荷转移机制和SPS作为一种研究光谱敏化方法的可行性进行了讨论。     

四苯基卟啉及其衍生物的表面光电压谱

酞菁和卟啉染料是一类典型的分子半导体材料,由于其在生命过程、癌的治疗等生物学上的探索及其化学传感、光电特性在固体电子学器件研究中占有很重要的地位。尤以这类染料的光电性质深受人们的重视,这与太阳能光电池、光MOS晶体管等的应用前景是分     

基于2,3-二羟基丁二酸新配位方式构建的新颖双U形四核铜配合物[Cu4(dhbd)2(dpphen)4•2H2O]•8H2O

利用水热法合成了标题配合物Cu₄(dhbd)₂(dpphen)₄•2H₂O]•8H₂O(H4dhbd＝2,3-二羟基丁二酸, dpphen＝4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉), 通过元素分析、红外光谱、热分析、X射线单晶衍射等技术对其进行了表征. 晶体结构分析表明, 由于水的配位阻断, 2,3-二羟基丁二酸根仅通过单羟基氧桥联两个U形双核亚单元形成具有一个对称中心的双U形四核结构, 其中U型亚单元包含晶体学上不对称的2个Cu(II)原子、1个2,3-二羟基丁二酸根(dhbd)、2个4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(dpphen)和1个配位H₂O分子. 毗邻的四核单元通过配位H2O分子和配位羟基O原子形成的R₂²(8)型环形氢键桥的连接, 沿a轴方向构建了四核单元交替相连的一维超分子链; 链间籍苯环的π-π堆积作用和晶格水分子氢键链的连接进一步扩展为具有隧道的三维结构. 配合物中呈现了一种2,3-二羟基丁二酸与过渡金属配位的新方式. 变温磁化率研究表明标题配合物具有弱的反铁磁耦合作用.     

量子限制效应对多孔硅液相电致发光的影响

着重研究多孔硅在阴极偏压下过硫酸铵溶液中电压调制的电致发光现象 .随阴极偏压的增大 ,电致荧光峰位蓝移 ,荧光强度增大 ,同时发现定电压下 ,发生电致发光随时间的衰减伴随着光谱的红移现象 .通过红外光谱、AFM及电化学等手段对电致发光的电位调制机理及荧光衰减机制进行了研究 ,结果表明电致发光与光致发光具有相同的起源 ,电压选择激发不同粒径的多孔硅 ,而导致了发光峰值能量的电位选择性 .在电致发光过程中 ,强氧化剂向多孔硅注入空穴使其表面氧化导致小粒径的硅晶逐渐被剥落 ,使光谱高能部分首先衰减出现了随时间的电致发光红移现象 .这些结果支持量子限制效应在多孔硅液相电致发光中起着重要作用     

外源桥和互变异构对μ-酚氧Schiff碱双核铜(Ⅱ)配合物磁性的影响

合成和表征了4个不同外源桥的醇式双核铜配合物:[Cu_2(L)(u-Cl)](1),[Cu_2(L)(p-N_3)]·DMF(2),[Cu_2(L)(g-OCH_3)(3)和[Cu_2(L))(u-C_3H_3N_2)·1/2C_2H_5OH(4).其中L是负三价的双核配体2,6-二甲酰-4-甲基苯酚双缩苯甲酰肼。配合物(3)的晶体为P1空间群,a=0.8294(1),b=0.9333(3),c=1.4736(6)nm,谨=79.51(3),"=80.93(2),)F=81.32(2)°,Z=1.磁性研究表明外源桥对金属离子之间磁交换作用的影响与其在光化学序列中的顺序基本一致。通过分子力学和量子化学计算,从结构因素和电子效应两方面解释了上述配合物的酮式和醇式互变异构体对磁交换作用的影响。     

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究

铜表面腐蚀的激光扫描微区光电压图象的研究杨迈之，张雯，蔡生民，任聚杰（北京大学化学系，北京，１０００７１）（河北医学院化学系，石家庄）潘传智，杨勇（浙江工业大学化工系，杭州）（厦门大学化学系，厦门）关键词铜，缓蚀剂，微区光电压图铜的腐蚀与防腐早已引起...     

Pr0.15TbxDy0.85-xFe2 内禀磁致伸缩的测量

对稀土金属间Laves相赝二元化合物进行X射线衍射分析。其(440)峰出现劈裂，由(440)峰劈裂的程度可以确定内禀磁致伸缩的大小。本文采用X射线衍射的方法对Pr0．15TbxDy0．85-xFe2系列粉末样品的(440)峰步进扫描，并对扫描结果进行拟合，对拟合得到的两组双线峰之间的间距计算得到内禀磁致伸缩λ111,拟合曲线与实验点符合很好，结果表明Pr0．15TbxDy0．85-xFe2的内禀磁致伸缩随Tb含量的增加而增加，并且用0．15的Pr替代Dy后，在x=0．3时，Pr0．15TbxDy0．85-xFe2的内禀磁致伸缩λ111比Tb0.27Dy0.73Fe2的内禀磁致伸缩λ1ll大。     

泡沫铅对VRLA电池负极活性物质结构及性能影响

0引言随着36V/42V汽车电源系统的提出,新一轮汽车用电池的竞争不断加剧。从目前情况看,铅酸电池由于具有成本低廉,使用可靠,原材料来源丰富,铅回收率可高达98%等优点,因此成为电动车电源最实际的选择之一[1]。但作为电动车用电池,需要克服其比能量低、充电接受能力差和负极硫酸盐化等缺点。为此各国科学家开展了大量的研究工作。最近报道用铸造多孔体作为敞口铅酸电池的集流体,它的比表面积为14cm2·cm-3,正极活性物质利用率上升到50%,远高于传统的铸造板栅[2]。在铅酸电池集流体研究领域里另一个重大进步,就是以R V C(R etic-ulated V i…