涉及两个单形的一类不等式

本文中,我们建立了下列主要结果: 定理 设∑_A和∑_B为n维Euclid空间E~n(n>2)中的两个单形,它们的棱长分别是a_i,b_i(i=1,2,…,c_(n 1)~2),它们的体积分别是V_1和V_2,则当θ∈(0,1]时有     

球面空间中的一类几何不等式

本文首先给出n维球面空间的正弦定理,其次得到了一类几何不等式及其应用(即文中的推论)。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

PPG侧链修饰聚酰亚胺的制备与表征

以可溶性聚酰亚胺为反应底物，经氯甲基化反应制得氯甲基化聚酰亚胺，再以氯甲基为活性反应中心，在聚酰亚胺侧链上接枝聚丙二醇单丁醚（PPG），从而得到PPG侧链修饰聚酰亚胺．所制备的产物结构经红外光谱和核磁共振氢谱得以证实．介电常数及吸附脱附测试结果表明：经过大体积侧链PPG修饰后，聚合物的介电常数明显降低，由3．147降低至2．976；比体积和比表面积增大．同时，所制得的聚合物具有优良的溶解性能，在微电子工业中易于加工应用．     

Al2O3SiO2/ZL109 金属基复合材料的强度性能研究

介绍了硅酸铝短纤维增强ＺＬ１０９铸铝合金（Ａｌ２Ｏ３ＳｉＯ２／ＺＬ１０９ＭＭＣ）的静态实验和冲击实验结果。给出了这种复合材料的静态强度、动态屈服强度和层裂强度并对实验结果进行了分析讨论。     

单电子效应与单电子晶体管

由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞，单电子隧穿和库仑振荡，与此效应有关的现象还有库仑台阶，旋转门效应，旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用     

SOME TOPICS ON WAVELET ANALYSIS

A review of the advance in the theory of wavelet analysis in recent years is given.