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非晶合金的动态弛豫机制对于理解其塑性变形,玻璃转变行为,扩散机制以及晶化行为都至关重要.非晶合金的力学性能与动态弛豫机制的本征关联是该领域当前重要科学问题之一.本文借助于动态力学分析(DMA),探索了Zr_(50)Cu_(40)Al_(10)块体非晶合金从室温到过冷液相区宽温度范围内的动态力学行为.通过单轴拉伸实验,研究了玻璃转变温度附近的高温流变行为.基于准点缺陷理论(quasi-point defects theory),对两种力学行为的适用性以及宏观力学行为变化过程中微观结构的演化规律进行描述.研究结果表明,准点缺陷理论可以很好地描述非晶合金损耗模量α弛豫的主曲线.基于非晶合金的内耗行为,玻璃转变温度以下原子运动的激活能U_β为0.63 eV.与准点缺陷浓度对应的关联因子χ在玻璃转变温度以下约为0.38,而在玻璃转变温度以上则线性增大.Zr_(50)Cu_(40)Al_(10)块体非晶合金在玻璃转变温度附近,随温度和应变速率的不同而在拉伸实验中显示出均匀的或不均匀的流变行为.非晶合金的高温流变行为不仅可以通过扩展指数函数和自由体积理论来描述,还可以通过基于微剪切畴(shear micro-domains, SMDs)的准点缺陷理论来描述. 相似文献
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乏燃料贮存格架是核电厂贮存乏燃料的重要设备,在满载条件下和地震/跌落事故中,都应保持稳定和安全状态.本文基于LS-DYNA对乏燃料贮存格架进行了跌落事故冲击分析,考虑了最重重物从可能最高处意外跌落的情况.分析时考虑了碰撞、几何大变形、材料非线性等非线性因素.分析发现,浅跌落情况下贮存格架变形较大,但为局部变形,冲击载荷不影响贮存格架的安全功能.深跌落情况下,组件跌落在支座上方时支座承受的载荷最大,并在许用载荷范围内.为确保核电厂安全性和可靠性,基于分析得到的现象,设计和开展了乏燃料贮存格架浅跌落和深跌落试验.试验采用了等比例贮存腔和真实燃料组件的管座.同时对试验件进行了跌落分析,并与试验结果进行了对比,验证了分析技术的保守性和准确性.掌握的分析技术可应用于所有压水堆核电站乏燃料贮存格架的跌落事故分析. 相似文献
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冲击电流计线圈运动状态的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
简要介绍了冲击电流计的工作原理,分析研究了冲击电流计的偏转线圈在磁场中的运动状态,并运用数理方法和电磁学知识推导出描述各种运动状态的物理表达式,揭示出偏转线圈的运动规律,对于仪器的调节和实验电路的设计具有重要意义. 相似文献
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吊桥方程解的长期动力学行为已有许多经典结论,但关于时滞吊桥方程动力学行为的研究甚少.本文研究带有记忆核的可拉伸时滞吊桥方程解的长期动力学行为,利用压缩函数的方法,获得该时滞吊桥方程拉回吸引子的存在性. 相似文献
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通过改变灰化温度,灰化时间及盐酸浓度三因素设计正交试验,对样品牦牛奶粉及市售奶粉进行干法消化。用火焰原子吸收光谱法对样品中的Ca, Mg, Fe, Cu, Zn, Mn, K和Na等八种元素进行测定。实验表明,最佳消化条件为:灰化温度510 ℃,灰化时间4 h,盐酸体积比为1∶5。在最佳实验条件下,对牦牛奶粉各元素的含量做了回收实验,回收率范围在95.2%~107.3%,相对标准偏差0.38%~3.86%(n=6)。实验结果表明:牦牛奶粉营养元素含量丰富, 是营养价值极高的食品。 相似文献
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A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser 下载免费PDF全文
A low-threshold and high-power oxide-confined 850-nm AlInGaAs strained quantum-well (QW) vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) based on an intra-cavity contacted structure is fabricated. A threshold current of 1.5 mA for a 22 μm oxide aperture device is achieved, which corresponds to a threshold current density of 0.395 kA/cm2. The peak output optical power reaches 17.5 mW at an injection current of 30 mA at room temperature under pulsed operation. While under continuous-wave (CW) operation, the maximum power attains 10.5 mW. Such a device demonstrates a high characteristic temperature of 327 K within a temperature range from -12℃ to 96℃ and good reliability under a lifetime test. There is almost no decrease of the optical power when the device operates at a current of 5 mA at room temperature under the CW injection current. 相似文献