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利用微区Raman散射技术,对低压MOCVD生长的不同Al组分的AlxGa1-xN薄膜(x=0,0.07,0.15)进行了背散射Z(X,X)Z-几何配制下的测量.A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(AlxGa1-xN)=(1+0.220x)ω(GaN).观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽.E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽.这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果.在多种配置下,观察到了Al0.07Ga0.93N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式.验证了AlxGa1-xN薄膜的Raman选择定则.表明AlxGa1-xN薄膜具有单模行为. 相似文献
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负压区的存在对刚性陶瓷过滤器脉冲反吹性能的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
利用压电式压力传感器测定了陶瓷过滤器在脉冲反吹过程中滤管内动态压力的变化规律,表明在脉冲反吹快要结束和正常过滤尚未开始的过渡过程中,滤管内存在严重的负压区。利用单个颗粒轨道模型分析了部分已被吹离滤管表面的小颗粒在负压区的作用下会重新返回到滤管壁,从而证实了负压区是影响刚性陶瓷过滤器稳定运行的重要原因。 相似文献
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