韧性金属裂纹尖端损伤区内应变场测量——数字散斑相关法应用

本文用数字散斑相关方法测量了五种不同幂硬化指数韧性金属材料(铝和铜),双边裂纹尖端细观区域内应变场.对所得结果用韧性损伤模型进行了分析.在此法中以金属自然表面结构为散斑场,不同加载状态的散斑场进行比较,得到相对变形与应变.图象之间相关性 C 是变形参数或是位移及其导数的泛函.使其相关性 C 取最大值的试凑变形即为其真实变形场.这一方法在细观测量中应用得到满意的结果.     

涂敷法制作质谱场电离发射丝的方法及性能研究

本文介绍一种新的质谱场电离发射丝的制备方法——涂敷法,并研究了其制备机理及影响发射丝灵敏度的因素。此外,还对涂敷法制作的发射丝及高温活化法制作的发射丝进行了各项性能对比试验。最后,介绍了涂敷发射丝的应用效果。     

第四届全国微全分析系统会议在大连召开

不久前，第四届全国微全分析系统会议（μ-TAS 2007）在大连海天白云大酒店隆重召开。此次会议由中国化学会、国家自然科学基金委员会化学部主办。微全分析系统是芯片实验室的重要组成部分，从20世纪末开始发展至今以其众多潜在优势和广阔应用前景受到世界范围的关注，被认为是21世纪重要科学技术平台之一。     

人工神经网络X射线荧光光谱法测定钢中酸溶铝

建立了一种人工神经网络-X射线荧光光谱法测定钢中酸溶铝的方法，用X射线荧光光谱法测定低合金钢中总铝值，应用所建立的ANN-BP网络模型，输入总铝含量直接预测出酸溶铝含量。同时使用改进的BP算法，避免了神经网络学习中可能产生的麻痹现象。该方法用于钢中酸溶铝的测定，结果满意。     

关于树图中全控制数与全外部连通控制数比值的研究

1980年Cockayne等人提出全控制数γt(G),目前已成为最重要的控制参数之一.近些年,一种与全控制数密切相关的控制参数被广泛研究,即:全外部连通控制数γtc(G).众所周知,γt(G)≤γtc(G).在本文中,我们证明了若T没有强支撑点,则γtc(T)≤5γt(T)/2?2.同时,我们也刻画出了达到这个不等式上...     

基于X射线相干衍射成像方法的微纳米梁变形场测量

微纳米结构在外加荷载下的变形场测量对于描述和预测微纳米结构力学性能、建立相关模型和理论具有重要意义.目前仍然缺少原位实时测量微纳结构变形场的实验方法,这对微纳米结构的力学性能研究形成了一定的制约.本文结合大规模MD(molecular dynamics,分子动力学)模拟和X射线CDI(coherent diffract...     

非均匀折射率场中光传输现象研究

海市蜃楼是一种非常有趣的光学现象,其本质是由于光在非均匀折射率介质中传输时发生的折射和全反射现象。本文基于费马原理与拉格朗日方程在理论上推导出了光在非均匀折射场的传输方程。然后通过数值模拟成功复现了光在非均匀折射场中传输的图像与相应蜃景图像。最后,通过实验研究了不同入射角度下光线传输规律和海市蜃景现象,实验结果与理论符合较好,验证了上述理论分析的正确性。     

聚合物气体辅助注射成型制品的形态结构

作为一种由常规注射成型发展起来的聚合物加工技术,气体辅助注射成型具有节约原材料、缩短成型周期以及提高制品性能等优点,已得到广泛的应用.由于气辅成型过程是一个在刚、柔双重约束界面条件下进行的多相复杂体系的多次流动过程,因而其形态结构的形成、发展和演化要远比常规注塑成型复杂.然而在气辅成型的形态结构方面,国内外的研究一直以来开展得较少.近年来,作者在聚合物及其共混物、复合材料气辅成型制品的形态结构方面已开展了广泛的研究工作,本文对这些工作和一些重要结果作了总结,并简要分析了成型过程中剪切场对形态演化的影响,最后对该研究方向的发展趋势作了展望.     

关于多元函数可微性的一个注记

对全微分的存在性进行了讨论．给出了某类多元函数z=f（P）在点Po处可微的一个判别方法     

Spin Transport in a Rashba Ring-Quantum Dot System Pumped by Microwave Fields

We report a theoretical study on producing electrically spin-polarized current in the Rashba ring with parallel double dots embedded, which are subject to two time-dependent microwave fields. By means of the Keldysh Green's function method, we present an analytic result of the pumped current at adiabatic limit and demonstrate that the interplay between the quantum pumping effectand spin-dependent quantum interference can lead to an arbitrarily controllable spin-polarized current in the device. The magnitude and direction of the charge and spin current can be effectively modulated by system parameters such as the pumping phase difference, Rashba precession phase, and the dynamic phase difference of electron traveling in two arms of ring; moreover, thespin-polarization degree of the charge current can also be tuned in the range [-∞, +∞]. Our findings may shed light on the all-electric way to produce the controllable spin-polarized charge current in the field of spintronics.