Low-dimensional structures formed by irradiation of laser

Some kinds of low-dimensional nanostructures can be formed by irradiation of laser on the pure silicon sample and the SiGe alloy sample. This paper has studied the photoluminescence (PL) of the hole-net structure of silicon and the porous structure of SiGe where the PL intensity at 706nm and 725nm wavelength increases obviously. The effect of intensity-enhancing in the PL peaks cannot be explained within the quantum confinement alone. A mechanism for increasing PL emission in the above structures is proposed, in which the trap states of the interface between SiO₂ and nanocrystal play an important role.     

冲击波作用下CHBr／NaCl界面热弛豫特性研究

非透明材料冲击温度测量是通过对界面光辐射历史的观察实现的,因此对界面光辐射历史的研究是非透明材料冲击温度测量的基础。但由于冲击阻抗的失配导致界面上出现波的反射而引起温度的变化与界面热流动产生的温度变化交杂在一起,以及过程的瞬时性,使得对这一过程的实验研究显得非常困难,设计了一种界面波阻抗近似相同的特殊实验装置,用光辐射测量技术研究了在冲击压缩下CHBr3/NaCl界面的热弛豫过程,实验结果和理论分析表明CHBr3/NaCl界面的热弛豫时间在纳秒量级,与Grover等人的理论预估一致。     

电爆炸法制备纳米颗粒收集方法

金属丝电爆炸法制备纳米材料因其负载可大程度的过热和爆炸产物非平衡扩散过程得到了研究人员的广泛关注,认为是制备新型功能材料的有效方法。研究了不同收集方法对电爆炸法制备钛纳米颗粒的影响,并结合电学、光学、自辐射图像和形貌分析等诊断手段分析了不同方法下产物特性的成因。结果表明,钛丝电爆炸呈现周期型放电模式,产物通道在放电结束前（约40 μs）可膨胀至约1.7 cm处,此后有尖状突刺发展（波阵面后湍流区）,其速度约为55 m/s。为研究爆炸产物不同状态下纳米颗粒形成特性,使用了3种不同的产物收集方法,分别为:①在金属丝径向1.5 cm处放置硅片收集;②在腔体出口处预置滤网收集;③在金属丝一侧电极上通过定向喷涂收集。产物形貌表征结果表明,使用不同收集方法时产物特征存在明显差别,前2种方法爆炸产物先与介质混合再沉积于硅片,得到的产物分别为分散、链状的球状纳米颗粒和密集、堆叠的纳米颗粒团簇;后一种方法电爆炸产物具有较高的密度和定向速度（对硅片）,硅片以金属丝为轴心远近呈现出粉末状和烧结块状两种不同形式。     

双步激光辐射提升纳秒激光抛光单晶硅的表面

单晶硅是一种重要的半导体材料。通常，铸锭切片后的单晶硅表面易产生较深的沟槽、凹坑和裂纹等缺陷。针对这一问题，提出了一种双步激光辐射的方法，其在修复表面缺陷的同时，可以降低表面粗糙度。首先，通过有限元法模拟对不同激光参数下可修复的缺陷深度进行预测。然后，在0.50 J/cm²的较高能量密度下，利用较深的表面层熔化修复各种深度的表面缺陷。然而，由于高能量密度下引发的热毛细管流易造成高频特征残留在表面上，故会导致表面粗糙度增加。接着，使用一个0.20 J/cm²的低能量密度再次辐射同一表面，可有效消除残留的高频特征。最终，原始表面粗糙度为1.057μm的表面经过双步激光辐射后可获得一个表面粗糙度为26 nm的无缺陷光滑表面。     

光辐射与人类健康

 随着现代化的发展,光或光源在各行各业中起着重要作用,如在黑夜降临时,马路街道两边亮起路灯,对人们的出行带来了很大方便;X射线被发现,使外科医学向前迈了一大步;激光从诞生起,以其单色性、方向性、大功率等特点,广泛应用于工业、科研、军事、医疗卫生等方面,对人们的生活产生了重大深远的意义。然而事物总是具有两方面的,它同时也带来了许多问题。光污染最早是20世纪70年代国际天文学会首先提出,当时的情况是:大城市普遍地过多使用灯光,使天空太亮,看不见星星,从而影响了天文的观测、航空等,很多天文台因此被迫停止工作。     

对比激光辐射:纳米光学天线新进展

美国伯克利实验室的研究人员研发出一种纳米光学天线,可极大增强原子、分子和半导体量子点的自发辐射。该进展为发光二极管在短距光通信,包括光学互连芯片和其他潜在应用方面取代激光器开启了大门。伯克利实验室材料科学分部的电气工程师Eli Yablonovi说:"与受激光辐射相比,自发光辐     

基于时间相关单光子计数技术的密码芯片光辐射分析

密码芯片运行时的光辐射可泄露其操作和数据的重要特征信息. 基于单光子探测技术, 设计并构建了针对CMOS半导体集成电路芯片光辐射信号的采集、传输、处理和分析的光电实验系统. 以AT89C52单片机作为实验对象, 采用时间相关单光子计数技术, 对不同工作电压下密码芯片的光辐射强度进行了对比, 分析了芯片指令级光辐射信息的操作依赖性和数据依赖性. 此外, 使用示波器对时间相关单光子计数技术在芯片光辐射分析上的可行性进行了验证. 实验结果表明, 采用时间相关单光子计数技术对密码芯片进行光辐射分析, 是一种直接有效的中低等代价光旁路分析攻击手段, 对密码芯片的安全构成了严重的现实威胁.     

电场对量子肼中自由载流子光辐射线宽的影响

本文对固体中在较大空间范围运动的粒子采用轨道、动量及波包来描述。根据量子力学测不准关系,粒子的能量测不准公式被导出。公式表明,电场强烈地散射载流子,使载流子所处能级大为展宽。应用该公式到Ｐ－Ｉ－Ｎ结构的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱中,理论计算的光辐射线宽与光致荧光实验测得的线宽吻合。