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921.
922.
基于二极管阵列PDA的紫外-可见差分吸收光谱(DOAS)系统的研究 总被引:15,自引:6,他引:15
介绍了一种自行研制的长程差分光学吸收光谱(DOAS)系统,该系统采用光电二极管阵列(PDA)作为光谱检测器,代替结构较为复杂的光电倍增管(PMT)加扫描圆盘的SD检测器,并对该系统检测器的偏置、暗电流、噪声、线性以及光谱仪的分辨率、光谱范围等性能进行了测试,同时对SO2,NO2等大气污染物进行了外场的测定,确定出相应光程下该系统测量SO2,NO2的最低检测限。 相似文献
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924.
925.
927.
积累检测在光电设备中的应用分析 总被引:2,自引:0,他引:2
有些光电检测设备要求高的探测概率和低的虚警概率,使用单次检测不能达到要求。若采用积累榆测法则能满足系统要求。通过对积累检测在不同类型光电设备中的应用分析,建立了不同的数学模型,推导出各模型的探测概率和虚警概率的计算公式,并给出了相应的计算结果。计算结果表明:积累检测在主动探测设备中使用不连续的“K out of N”模型,能够有效提高探测概率,降低虚警概率。但在被动探测设备中,探测概率有所卜降,虚警概率会大大降低。 相似文献
928.
10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制 总被引:2,自引:0,他引:2
在半导体激光诱导扩散实验中,用连续波CO2 10.6μm激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散,激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求,必须使曝光区功率密度很高。另一方面,Si、InP等半导体材料对10.6μm波长激光的吸收系数随温度的升高而增大,这导致实验时容易产生热致破坏,损伤基片。在分析热致破坏的产生机理后,提出了在聚焦激光束照射下,曝光区温度的数值计算方法。计算结果表明,在半导体基片初始温度为室温时,以恒定功率的激光束照射基片,曝光区温度不能稳定在扩散试验需要的温度范围。在此基础上,提出了预热基片及对曝光区温度进行实时控制等抑制热致破坏的方法,有效地克服了这一困难。这对于用激光微细加工制作出高性能的单片光电集成电路(OEICs)器件有重要意义。 相似文献
929.
Super S_(25)与New S_(25)光电阴极的光谱响应特性的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
根据多碱光电阴极的光谱响应理论表达式 ,对荷兰DEP公司和日本Hamamatsu公司美国分公司开发的两种SuperS2 5阴极的光谱响应曲线进行了理论模拟 ,得到了这些阴极的有关特性参量 ,并通过对模拟结果的分析以及与美国夜视实验室研制的NewS2 5光电阴极特性的比较 ,揭示了两种SuperS2 5光电阴极内在机理和可能采用的工艺处理方法 ,对多碱光电阴极的理论研究和实际操作具有指导意义 相似文献