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31.
线阵CCD在双棱镜测光波波长中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
CCD是一种以电荷量表示光量的大小,用耦合方式传输电荷量的新型光电传感器件,其基本部分由MOS光敏元列阵和读出移位寄存器组成.具有体积小、重量轻、功耗低、光谱响应范围宽、分辨率高、精度高、稳定性能良好等一系列优点,与计算机配合使用,使得由CCD采集到的大量数据的处理变得非常容易.对测量数据的处理可以经过存储、自动补偿和校正,最后打印输出,现今已在航天、遥感、军事设备、自动控制、雷达、医学、生物、化学、颜色测量等方面得到了广泛的应用[1].我们将其用在实验教学中,取得了很好的效果.  相似文献   
32.
杨冰  李瑛 《中国物理快报》2003,20(1):161-163
Perylene and coronene have been synthesized with good yield via the Dields-Alder reaction.They have good photoluminescence properties and could transfer ultraviolet light to visible-loght.To find an easy way of making a better ultraviolet charge coupled device,we blended perylene or coronene with polymers.Then,these blends were analysed by the photoluminescence spectrum.The results indicate that the blends have larger fluorescence intensity than pure perylene or coronene.Through spreading these blends on image detectors,organic image detectors with good ultraviolet photoelectricity capability were prepared.  相似文献   
33.
光强一定时饱和光电流随入射光频率的变化关系辨析   总被引:2,自引:0,他引:2  
李曙光 《大学物理》2003,22(8):31-32,38
对光电效应实验中饱和光电流随入射光频率变化关系的几种谬误进行了辨析,给出了光强一定时饱和光电流随入射光频率变化的正确规律并作了解释。  相似文献   
34.
PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断   总被引:4,自引:3,他引:1       下载免费PDF全文
 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。  相似文献   
35.
单光子探测器量子效率的绝对自身标定方法   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
常君 《物理学报》2003,52(5):1132-1136
提出一种单光子探测器量子效率的绝对自身标定方案,利用光参量下转换过程中产生的光子对在时间上的相关性,先将参量光束分为两路,然后引入相对延时,使同时产生的孪生光子先后进入单光子探测器,然后将探测器之后的电路分为三路,其中一路直接进入计数器得到探测器所探测到的光子的总计数率,另两路用电路方法引入和光路相当的相对延时,经符合电路后进入计数器,得到前后到达探测器的光子对之间的符合计数率.这样,从符合计数率与总光子计数率之比即可在不需要任何其他探测器或者参照标准的情况下获得探测器的量子效率.文中给出两种方案,分别适  相似文献   
36.
《中国物理快报》2003,20(12):2130-2132
  相似文献   
37.
 今年3月2日,在美国费米国家实验室举行的报告会上,CDF和D0两个实验组分别报告了他们的实验结果,正式宣布发现顶夸克(Top Quark,也称t夸克)。  相似文献   
38.
取样平均法提高CCD多道探讨器信噪比   总被引:4,自引:2,他引:2  
应用取样平均法有效地提高了CCD光学多道探测器信噪比,当采样次数为m时,信噪比提高√m倍,应用于实验得到了高信噪比的各种光谱谱图。  相似文献   
39.
40.
纳米硅薄膜光吸收谱的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
刘湘娜  何宇亮  F. WANG  R. SCHWARZ 《物理学报》1993,42(12):1979-1984
用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比Xc为45%—50%)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着Xc的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词:  相似文献   
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