V2O5电致变色薄膜的Raman光谱

近年来,通过向过渡金属氧化物薄膜注入Ｌｉ 制作可调节光透过率的电变色器件已越来越引起广泛的重视[1、2].由于Ｖ2Ｏ5薄膜的稳定性差,限制了它在实际中的应用.因此,为了获得变色效率高、稳定性和可逆性能好的Ｖ2Ｏ5薄膜,使用了多种制备方法,如磁控溅射法[3、6]、电化学沉积法[7、8]、溶胶凝胶法[9、10]、旋涂法[11、12]、真空蒸镀法[13、14]等.但是,无论那种方法都要解决Ｖ2Ｏ5本身在Ｈ2Ｏ或醇等的电解质溶液中电致变色时的溶解问题,通常采用控制薄膜的沉积温度或者退火处理来提高薄膜的电致变色性能[3、4、11].为了探明薄膜结构与电致变色…     

Synthesis, Characterization and Crystal Structure of [Ni（S2P{O}OC6H4CH3-p）（dppv）]

O-（p-tolyl）dithiophosphato nickel complex [Ni（S2P{O}OC6HaCH3-p）（dppv）] has been synthesized by the treatment of （dppv）NiCl2 （dppv = Ph2PCH=CHPPh2） with （p-CH3C6HaO）2P{S}SH＇Et2NH in THF. The new complex was fully characterized by elemental analysis, IR, 1H NMR, 31p NMR spectroscopies and thermo-gravimetric analysis. The molecular structure of the complex was established by X-ray crystallography. The crystal crystallizes in monoclinic, space group P21/c with a = 9.2739（5）, b = 17.8803（8）, c = 20.1879（12） A, fl = 93.269（5）, V = 3342.1（3） A3, Z = 4, C33H29NiO2P3S2, Mr = 673.30, Dc = 1.338 g/cm3, F（000） = 1392 and #（MoKa） = 0.877 rnm-l. The final R = 0.0578 and wR = 0.1045 for 4138 observed reflections with 1 〉 20（/） and R = 0.1050 and wR = 0.1204 for all data. The Ni centre atom adopts a NiP2S2 square-planar geometry with two phosphorus atoms from the dppv ligand and two sulfur atoms from the O-（p-tolyl）dithiophosphate ligand. The most interesting structural feature of the title complex resides in its 1D helical chain structure constructing via intermolecular C-H＇＂O secondary interactions along the b-axis. The adjacent helical chains running in opposite directions are connected into a 1D double-stranded helical chain and further linked into a 2D supramolecular network by weak C-H.--C interaction.     

气相萃取-气质联用法测定上光工艺对烟标印刷溶剂残留的影响

利用顶空-气相色谱串联质谱(HS-GC/MS)技术建立光油溶剂残留控制物的测定方法,对比、分析光油种类、印版清洗剂、印版线数、印刷速度、干燥温度等工艺参数对上光工序中挥发性有机物(苯及苯系物、溶剂残留、溶剂杂质)的影响及变化.经仪器参数优化,各组分相关系数(R~2)均≥0.998 2;回收率≥80.4%,相对标准偏差(RSD)5.8%(n=6).结果表明,水性光油较珠光油、UV光油溶剂残留量最少,选择纯水和正丙酯溶液结合清洗印版引入溶剂残留量最小,随印版线数增加溶剂残留量不断增大,当印刷速度达160 m/min光油附着力最佳,溶剂残留量较少,干燥温度为120℃光油表现出彻干性,溶剂得到充分挥发.     

对DNA具有识别和断裂功能的金属插入剂的研究

本文详尽介绍了国际上对金属配合物与DNA 以插入方式进行识别和反应的前瞻性的工作,为设计能够与特定序列的DNA 进行识别和反应的金属配合物提供了多种策略。     

原子吸收分光光度计检定最佳测试条件的选择

介绍原子吸收分光光度计检定最佳测试条件的选择技巧。     

亚毫米尺度对称金属包覆波导中传输损耗的抑制

利用光频范围贵金属介电常量的虚部远小于其实部绝对值的特点,采用一阶微扰理论得到了对称金属包覆波导横电和横磁导模微扰传播常数的解析公式。针对金属包覆波导传输损耗大的缺陷,提出采用亚毫米尺度的超厚导波层来抑制传输损耗的新方法。微扰公式与精确数值解结果相符。     

热驱动法测量光阱刚度的蒙特卡罗模拟

在应用光镊测量微米粒子或生物大分子之间力学特性之前,必须对光镊的光阱刚度进行精确标定,选择精确的标定方法对测量的准确性起着决定作用。采用Monte-Carlo方法,模拟了光阱中的一个粒子在5s时间内其位移随时间变化的信号序列,模拟采样频率为105Hz。基于不同程度噪声和光阱偏移量条件下的模拟实验数据,用三种热驱动力分析法对光阱刚度进行标定。结果表明,三种方法的理想误差均小于2.5%;将粒子位移序列的坐标减去其平均值后得到新的位移序列,然后进行刚度标定,可以消除光阱偏移引入的误差;均方位移法比功率谱法和玻尔兹曼分布法具有更好的抗噪声干扰能力。     

基于双色光照明的单曝光同轴数字全息技术

提出了一种基于双色光照明的单曝光同轴数字全息技术。在红绿蓝三色中,任选两种波长的光来照射物体,采用彩色CCD记录双色同轴全息图,然后经过三基色分离数字处理,可得到两幅不同波长的同轴全息图。用角谱衍射理论对该技术进行了分析,表明在降低物参光振幅比的条件下,通过对同轴数字全息图求自然对数,可近似得到衍射物光及其共轭之和,其误差与物参光振幅比有关。取两幅不同波长的同轴数字全息图,经自然对数处理后,用传递函数可以很好地重构出物体图像,给出了具体的数字处理算法。用仿真实验,模拟了该技术的全息记录和处理过程,得到重构图像的峰值信噪比(PSNR)为14.2 dB。结果表明该方法可以去除孪生衍射像干扰,可以实现清晰的单曝光同轴全息成像。最后,分析了再现像中噪声产生的原因。该技术可用于基于同轴全息的实时成像与动态测量。