矢量非傍轴双曲余弦-高斯光束

 引入了矢量非傍轴双曲余弦-高斯(ChG)光束概念。使用矢量瑞利-索末菲衍射积分公式推导出了矢量非傍轴ChG光束在自由空间传输的解析公式。矢量非傍轴ChG光束轴上和远场的解析式以及傍轴结果作为一般传输公式的特例给出。研究表明,对矢量非傍轴ChG光束,其非傍轴性主要由f参数决定,但偏心参数会影响其横向光强剖面形状和非傍轴行为。     

10MeVLIA强流电子束的输运

介绍了１０ＭｅＶ直线感应加速器（ＬＩＡ）束输运系统布局及实验的调试规律。分析了束横向运动对束稳定输运的影响，理论分析和实验调试的结果表明，抑制束稳定输运的主要障碍来自束的横向运动。当束稳定输运时，可获得束能１０．４ＭｅＶ，束流强度２．６ｋＡ，束半高宽约１００ｎｓ的强流脉冲电子束。     

多孔二元过渡金属纳米片阵列电极制备及电催化析氢研究

碱性电解液中,电解水析氢的H20解离过程非常缓慢,造成析氢反应较高的过电位和Tafel效率.选择具有本征高析氢活性的合金催化剂与水解离中心-过渡金属氧化物复合,并进一步优化复合物形貌结构,被证明是解决这个科学问题的重要策略.我们报道一例新颖的二元过渡金属纳米片阵列自支撑电极(MoO3_x-MoNi4@NF),多孔MoO...     

细胞色素C在阴离子修饰的盐桥支撑双层类脂膜上的电化学行为及其应用

采用循环伏安法研究了细胞色素C在月桂酸阴离子修饰的盐桥支撑双层类脂膜上的氧化还原反应;对盐桥支撑双层类脂膜的特性、细胞色素C的电化学反应动力学以及有关影响细胞色素C循环伏安行为各种因素进行了详细探讨;并对用该双层类脂膜体系电化学测定细胞色素C进行了初步尝试。     

非支撑磷脂双层膜制备及温度对其力学性质的影响

结合聚苯乙烯球刻蚀和微机电系统技术加工氮化硅纳米多孔膜, 并在其上用囊泡法制备非支撑磷脂双层膜, 通过温控原子力显微术(AFM)的成像模式和力曲线模式对非支撑磷脂双层膜的形貌和力学性质进行研究. 实验结果表明, 该方法制备的非支撑磷脂双层膜具有流动性, 能进行自我修复, 该特点有利于提供足够的非支撑磷脂双层膜区域用于其性质研究; 非支撑磷脂双层膜的膜破力和粘滞力均随着温度的升高而减小, 即膜的机械稳定性随着温度的升高而降低. 非支撑磷脂双层膜膜破力小于支撑磷脂双层膜的膜破力, 并且非支撑磷脂双层膜粘滞力随温度的变化趋势与支撑磷脂双层膜的变化趋势相反.     

联萘酚与固体支撑双层类脂膜相互作用

采用循环伏安法、交流阻抗法研究了联萘酚(BINOL)与固体支撑双层类脂膜(s-BLM)之间的相互作用.结果表明,联萘酚通过氢键、疏水作用与s-BLM发生相互作用.随着相互作用时间的延长,联萘酚/s-BLM体系中的氧化峰电流先增大后减小,表明联萘酚逐渐破坏s-BLM的整体性,诱导膜内部形成微孔通道.联萘酚的浓度越大,联萘酚分子通过s-BLM的渗透时间越短.此外,随着卵磷脂浓度和胆固醇含量的增加,s-BLM的膜电阻变大,联萘酚渗透通过s-BLM速率减小,导致其对s-BLM的渗透性能减弱.     

岩石偏心圆孔单裂纹平台圆盘的动态裂纹扩展与止裂

针对平台圆环构型的优点, 提出偏心圆孔单裂纹平台圆盘(cracked eccentrically holed flattened disc, CEHFD), 该试样具有更长的断裂路径。利用霍普金森压杆加载系统, 径向冲击CEHFD试样, 完成Ⅰ型动态断裂实验。砂岩试样表面粘贴应变片和裂纹扩展计, 用于监测裂纹动态起裂、扩展和止裂的全过程。实验表明, 在整个断裂过程中, 裂纹非匀速扩展, 裂纹扩展速度在裂纹起裂后加速上升, 在裂纹止裂前有明显的减速, 与地震时断层的动态破裂全过程完全吻合。采用实验-数值-解析法得到动态应力强度因子, 其时间历程呈现先增大后减小的趋势。根据断裂过程不同时刻, 得到相应的动态起裂韧度、扩展韧度及止裂韧度。在动态断裂全过程中, 动态扩展韧度为速度的函数, 变化趋势与速度一致, 随着时间先增大后减小; 动态起裂韧度大于动态止裂韧度, 止裂韧度随着裂纹最大扩展速度的增大而降低, 并且有较大的离散性。

     

大面积无支撑式X射线透射光栅

大面积无支撑式透射光栅在Ｘ光学中具有重要应用。对自行研制的这种光栅的实验测试表明，这种光栅已可成功制作，可用于从实验室到天文学的Ｘ光测量或应用中。     

空调风机叶道内旋涡流动分析及进气口偏心的影响

本文采用CFD方法,详细分析了空调用多翼离心风机叶道中的气流分布以及进气口偏心的影响。研究表明,风机叶道内存在大范围的气流分离现象。在后盘附近,存在分离现象的叶道约占2/3,主要分布在蜗壳内侧;而在“前盘”附近,几乎所有叶道都存在分离现象。在“前盘”附近,蜗舌下方的叶道中气流几乎停滞,蜗舌下游叶道为回流和尾缘旋涡所充满,至临近蜗壳出口侧,前缘旋涡逐步形成、发展并融合尾缘旋涡,最后衰减、消失。风机进气口向蜗壳内侧偏置适当距离, “前盘”附近叶道旋涡分布范围明显减小。     

晶体的定偏心平面CMP均匀性研究

晶体的化学机械抛光(CMP)加工中存在工件的表面平整度差的问题.晶体平整度差,两块晶体在真空压合的过程中就会导致晶体被压裂甚至压碎,晶体表面出现任何微小的缺陷都会造成压合的失败,晶体的压合对于晶体表面的平整度要求非常高,因此本文针对这一现象提出一种定偏心平面CMP方式,通过此种被动驱动式平面CMP方法,合理选择CMP及偏心距的参数,使得被加工晶体(ZnSe)的表面粗糙度值达到0.846 nm,平面面形误差小于1.178 μm.