荧光显微镜研究极端pH值诱导磷脂支撑膜的侧向再组织

利用荧光显微镜研究了极端pH值诱导支撑磷脂双层膜的侧向再组织.结果表明,在强酸/强碱性溶液中,流动性较好的二油酰磷脂酰胆碱支撑膜出现破裂、分离、出芽或生出微管等与细胞内吞和外排相似的现象.基于极性分子与H+/H3O+或OH-的相互作用,以电中性的磷脂首基为核吸附溶液中的H+/H3O+或OH-.当磷脂膜上下叶吸附的电荷量不同时,引起两叶有效面积差,即磷脂膜曲率不对称,从而诱发磷脂膜出现各种结构和动力学的响应.本研究有助于理解极端环境对生物膜的影响,为研究生物膜的形变过程提供了参考.     

对2014年高考重庆卷第5题的进一步解析

文章对2014年全国高考重庆卷第5题进行了定量研究。     

低阈值单横模852nm半导体激光器

基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.     

格子Boltzmann模型平衡分布边界条件和多棱柱排列渗流流场的数值模拟

介绍了适用于多种流场数值模拟的无滑动格子Boltzmann平衡分布边界条件,这一边界条件是以Bounce-Back方法为基础并满足质量、动量守恒的准则.数值计算结果表明平衡分布边界条件克服了Bounce-Back方法在边界上所产生的滑动速度误差效应.利用平衡分布边界条件数值模拟了由棱柱形充填粒子构成的微尺度渗流流场中的Darcy-Forchheimer方程,通过与Lee 和Yang的数值结果比较,该预测结果是足够可靠的.关键词：平衡分布边界条件渗流介质Darcy-Forchheimer阻力     

定向凝固过程中枝晶侧向分枝生长行为与强制调控规律

采用相场法数值模拟研究了定向凝固过程中随机噪声条件下枝晶侧向分枝生成行为与强制扰动条件下侧向分枝调控规律. 模拟结果表明: 随机噪声条件下, 侧向分枝整体上并无规则性, 但产生频率存在一定分布范围, 且在一定时间段内会出现生成频率一致且具有极强相关性的一组侧向分枝, 即波包; 不同波包之间不具有相关性, 但不同波包内部的侧枝生成频率基本相同, 且与侧枝整体频谱曲线峰值位置处的频率基本相当; 强制周期扰动条件下, 当扰动频率处于侧向分枝整体生成频率范围内时, 可激发枝晶产生规则侧向分枝, 且扰动频率与波包内侧枝生成频率一致时侧向分枝最发达. 研究结果可为向定向凝固枝晶形态的调控提供理论指导.     

高能重离子碰撞中的横向非对称流

对末态粒子方位角分布的研究可以获得反应中有关横向非对称流的信息.研究了碰撞中侧向流与椭圆流间的方位角关联,给出了一种定量测量反应中椭圆流大小的方法,该方法的计算结果可以有效地消除估计反应平面离散的影响.     

基于结构两相阻力分析的泥石流堆积形态研究

针对泥石流的结构两相阻力特征,采用结构两相阻力对泥石流的堆积形态进行了静力学分析,推导出在一般条件下泥石流堆积形态的公式,并讨论了在不同条件下泥石流堆积形态的特点。分析表明采用结构两相阻力对泥石流堆积形态分析可以较合理的模化阻力项,能够表现泥石流体复杂的成分结构组成,较真实的反映实际泥石流的堆积形态特征。在特定材料条件下,结构两相阻力项转化为单一材料阻力项,所得到的相应结论与已有对单一材料的分析结论一致。     

气体离化团束技术

由数个至数千个气体原子构成且被电离为单电荷的气体离化团束与表面相互作用产生新的效应、涉及新的机理并显示许多新的应用。例如非常浅的浅层注入（Ｓｉ注入深度小于０．１μｍ）、极高的溅射产额（比单体离子高两个数量级）、侧向溅射效应、原子量级的表面加工（平均表面粗糙度小于１ｎｍ）、低基片温度下形成高质量薄膜等。     

CC型原表面回热器传热与流动数值模拟

对CC型原表面回热器的主换热面附近流场和温度场进行了三维数值模拟。结果表明,传热的强化程度与流动阻力的大小取决于螺旋型二次流动的强弱,影响机理是螺旋型二次流动强烈影响流体的混合和边界层的发展。针对低雷诺数范围流动,通过比较不同结构尺度和换热面布置时传热和流动特性,对换热表面进行了设计优选。     

宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力.目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术.在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO2,并用光刻的方法将其制备成高掩膜宽度(窗口宽度20μm/掩膜宽度280μm)的宽周期掩膜,再通过氢化物气相外延(...